在晶体管栅极结构上使用抗蚀刻衬里的方法和结构技术

一种覆盖晶体管栅极叠层的侧壁和沿晶体管栅极叠层的底部的衬底的一部分的抗蚀刻衬里。该衬里防止在栅极叠层的侧壁上形成可能引起电短路的硅化物，并在晶体管栅极叠层的底部的衬底中的源极和漏极区中确定硅化物形成的位置。该衬里还覆盖电阻器栅极叠层，防止在电阻器栅极叠层中或附近形成硅化物。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体器件及其制造方法，更具体地说涉及在晶体管栅极和/或电阻器栅极上使用抗蚀刻衬里的半导体器件的设计。
技术介绍
在晶体管的栅极叠层的上表面上和源极/漏极区中形成硅化物所需的工艺期间，通常使用隔离物保护栅极叠层的侧壁。在形成硅化物之前，对晶片进行通常的预清洁工艺，以为硅化物形成准备栅极叠层的上表面和源极/漏极区。不幸地是，隔离物没有足够的抵抗力来对抗预清洁工艺，并且部分隔离物可能被不小心去掉。结果，暴露出部分栅极叠层的侧壁。然后，栅极叠层侧壁的暴露部分容易受到硅化物形成的影响。在栅极叠层的侧壁上形成硅化物可能导致在栅极叠层顶部的硅化物与栅极叠层底部的源极/漏极区中的硅化物之间电短路。由于半导体器件不断按比例缩小，并且栅极叠层顶部与源极/漏极区之间的距离也相应减小，所以由栅极叠层的侧壁上形成的硅化物引起的电短路的可能性也相应增加。上述预清洁工艺还可能影响在晶体管附近形成的电阻器。为了保持所设计的电阻值，希望防止在电阻器栅极叠层中或周围形成硅化物。在预清洁工艺期间，保护电阻器栅极叠层侧壁的部分隔离物可能被去掉。与晶体管相同，电阻器栅极叠层的暴露部分容易受到硅化物形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，包括：提供在衬底表面上具有栅极叠层的衬底；在栅极叠层上形成抗蚀刻衬里；在衬里上沿栅极叠层的侧壁形成隔离物；从没有被隔离物覆盖的衬底和栅极叠层的区域中去掉衬里，并在被隔离物覆盖的衬底和 栅极叠层的区域中保留衬里；以及在没有被衬里覆盖的衬底和栅极叠层的区域中形成导电材料。

【技术特征摘要】
US 2003-11-13 10/713,2271.一种形成半导体器件的方法，包括提供在衬底表面上具有栅极叠层的衬底；在栅极叠层上形成抗蚀刻衬里；在衬里上沿栅极叠层的侧壁形成隔离物；从没有被隔离物覆盖的衬底和栅极叠层的区域中去掉衬里，并在被隔离物覆盖的衬底和栅极叠层的区域中保留衬里；以及在没有被衬里覆盖的衬底和栅极叠层的区域中形成导电材料。2.根据权利要求1的方法，还包括在栅极叠层上形成衬里之前在衬底的表面上提供第二栅极叠层。3.根据权利要求2的方法，还包括在第二栅极叠层上形成衬里；以及在衬里上沿第二栅极叠层的侧壁形成隔离物。4.根据权利要求3的方法，还包括在从没有被隔离物覆盖的衬底和栅极叠层的区域中去掉衬里，并在被隔离物覆盖的衬底和栅极叠层的区域中保留衬里之前在衬里和第二栅极叠层的隔离物上淀积光致抗蚀剂层，以防止从第二栅极叠层上去掉衬里。5.根据权利要求3的方法，还包括在从没有被隔离物覆盖的衬底和栅极叠层的区域中去掉衬里，并在被隔离物覆盖的衬底和栅极叠层的区域中保留衬里之后在形成导电材料之前在覆盖第二栅极叠层的衬底的表面上形成绝缘层。6.根据权利要求2的方法，还包括在栅极叠层上形成衬里之前沿第一和第二栅极叠层的侧壁形成第一隔离物。7.根据权利要求2的方法，其中栅极叠层包括晶体管栅极叠层，第二栅极叠层包括电阻器栅极叠层。8.根据权利要求1的方法，其中衬里包括选自如下的材料Al2O3、HfO2和Ta2O3。9.根据权利要求1的方法，其中衬里包括SiC。10.根据权利要求1的方法，还包括在去掉衬里的衬底和栅极叠层的区域中形成导电材料之前在衬底的表面上进行预清洁工艺。11.根据权利要求1的方法，其中衬里包括介电常数的范围为约7-150的材料。12.根据权利要求1的方法，还包括在形成导电材料期间在衬底中形成源极和漏极区，其中通过从没有被隔离物覆盖的区域去掉衬里产生的衬里的末端确定源极和漏极区的位置。13.一种形成半导体器件的方法，包括提供在衬底表面上具有第一栅极叠层和第二栅极叠层的衬底；在第一和第二栅极叠层上形成衬里；在衬里上并沿第一和第二栅极叠层的侧壁形成隔离物；从没有被隔离物覆盖的衬底和栅极叠层的区域中去掉衬里；在第二栅极叠层上形成保护层；以及在没有被衬里覆盖的区域中形成导电材料。14.根据权利要求13的方法，还包括在第一和第二栅极叠层上形成衬里之前沿第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：HY额，杨海宁，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]