多晶硅化金属栅极结构及其制造方法技术

本发明专利技术是指一种多晶硅化金属栅极结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：（ａ）提供一基板；（ｂ）分别形成一多晶硅层及一硅化金属层于该基板上方；（ｃ）去除部分的该硅化金属层，藉以限定一硅化金属结构；（ｄ）形成一保护层于该多晶硅层上，并覆盖住该硅化金属结构；（ｅ）去除该保护层与该多晶硅层及该硅化金属结构接触的水平部分，以形成一保护结构；（ｆ）去除未被该硅化金属结构及该保护结构所覆盖的该多晶硅层，藉以限定一多晶硅结构；以及（ｇ）氧化该多晶硅结构，使该多晶硅结构的侧面形成一绝缘结构。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种半导体结构及其制造方法，尤指关于一种，其可应用于互补式金属氧化物半导体晶体管(CMOS)。
技术介绍
由于近几年来半导体元件工艺技术的发展迅速、进而造就了电脑、通讯与网络业的蓬勃发展，而其进步的原动力，在于金属氧化物半导体晶体管(MOS)尺寸不断地缩小，因为缩小的元件能改善切换速度与元件消耗功率，电路的元件集成度与功能性(如数据储存、逻辑运算、信号处理等)也都加强了。由于互补式金属氧化物半导体晶体管(C MOS)具有高集成度且及低能量消耗等优点，因此为目前最常被使用及研究开发的半导体元件。在深次微米的集成电路工艺技术中，由于在线宽、接触面积及接面深度等都逐渐缩小的情形下，为了能有效地提高元件的工作品质，降低电阻并减少电阻电容(RC)所造成的信号传递延迟和降低元件栅极的寄生电阻，而发展出多晶硅金属(Polycide)栅极结构来取代先前的多晶硅(polysilicon)栅极。请参阅图1，此工艺就是在多晶硅(polysilicon)1上面长出一层硅化钨(WSiX)2，因硅化钨(WSiX)2具有高熔点、稳定性及低电阻率的优点，所以在半导体工艺上的应用已越来越普遍，特别是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅化金属栅极的制造方法，该制造方法包括下列步骤：（ａ）提供一基板；（ｂ）分别形成一多晶硅层及一硅化金属层于该基板上方；（ｃ）去除部份的该硅化金属层，藉以限定一硅化金属结构；（ｄ）形成一保护层于该多晶硅 层上，并覆盖住该硅化金属结构；（ｅ）去除该保护层与该多晶硅层及该硅化金属结构接触的水平部份，以形成一保护结构；（ｆ）去除未被该硅化金属结构及该保护结构所覆盖的该多晶硅层，藉以限定一多晶硅结构；以及（ｇ）氧化该多晶硅结 构，使该多晶硅结构的侧面形成一绝缘结构。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅化金属栅极的制造方法，该制造方法包括下列步骤(a)提供一基板；(b)分别形成一多晶硅层及一硅化金属层于该基板上方；(c)去除部份的该硅化金属层，藉以限定一硅化金属结构；(d)形成一保护层于该多晶硅层上，并覆盖住该硅化金属结构；(e)去除该保护层与该多晶硅层及该硅化金属结构接触的水平部份，以形成一保护结构；(f)去除未被该硅化金属结构及该保护结构所覆盖的该多晶硅层，藉以限定一多晶硅结构；以及(g)氧化该多晶硅结构，使该多晶硅结构的侧面形成一绝缘结构。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于该硅化金属层于该多晶硅层上是依序包含一阻障层、一钨层及一氮化硅(SiNX)层。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于该保护层厚度为50～500A。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于该保护层材质为氮化硅(SiNX)。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于是利用干式氧化法以形成该绝缘结构。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘汉兴，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]