非易失性半导体存储器件的制造方法技术

本发明专利技术的课题是一种配备了具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体（８）的可变电阻元件的非易失性半导体存储器件的制造方法，在比可变电阻体（８）形成前所形成的金属布线层（１１）的熔点低的形成温度下形成可变电阻体（８）。更理想的是，在３５０℃～５００℃范围内的成膜温度下，通过溅射法使得用通式Ｐｒ↓［１－ｘ］Ｃａ↓［ｘ］ＭｎＯ↓［３］表示的镨－钙－锰氧化物成膜，作为可变电阻体（８）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性半导体存储器件，更详细地说，涉及配备了具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体的可变电阻元件的。
技术介绍
近年来，作为代替闪速存储器的能够高速工作的下一代非易失性随机存取存储器(NVRAMNonvolatile Random Access Memory)，提出了FeRAM(Ferroelectric RAM铁电随机存取存储器)、MRAM(Magnetic RAM磁随机存取存储器)、OUM(Ovonic Unified Memory双向统一存储器)等各种各样的器件结构，从高性能、高可靠性、低成本及工艺匹配性的观点考虑，进行了激烈的开发竞争。但是，现有的这些存储器件各有所长也各有所短，距离实现同时具有SRAM、DRAM、闪速存储器各自优点的「万能的存储器」的理想还很遥远。例如，已经实用化的FeRAM利用了氧化物铁电体的自发极化反转现象，具有低功耗、高速工作的特征，但又有成本高、破坏性读出的缺点。在MRAM中所使用的利用了巨磁阻效应(GMRGiantMagnetoresistance)的铁磁性隧道效应元件，具有用Al2O3等极薄的绝缘层(隧道势垒层)夹持由Fe、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性半导体存储器件的制造方法，其特征在于：上述非易失性半导体存储器件配备具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体的可变电阻元件，在比上述可变电阻体形成前所形成的金属布线层的熔点低的形成温度下形成上述可变电阻体。

【技术特征摘要】
JP 2004-1-13 4949/041.一种非易失性半导体存储器件的制造方法，其特征在于上述非易失性半导体存储器件配备具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体的可变电阻元件，在比上述可变电阻体形成前所形成的金属布线层的熔点低的形成温度下形成上述可变电阻体。2.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器件的制造方法，其特征在于依次层叠下部电极、上述可变电阻体和上部电极，形成上述可变电阻元件，在上述可变电阻元件的形成工序中，用溅射法将上述可变电阻体成膜在上述下部电极上。3.如权利要求2所述的非易失性半导体存储器件的制造方法，其特征在于在上述可变电阻元件的形成工序中，在上述可变电阻体的形成温度以下形成上述下部电极和上述上部电极。4.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器件的制造方法，其特征在于在比上述金属布线层后的工序中的最高处理温度高的温度下...

【专利技术属性】
技术研发人员：川添豪哉，玉井幸夫，岛冈笃志，萩原直人，松下祐二，西汤二，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]