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本发明的课题是一种配备了具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体（８）的可变电阻元件的非易失性半导体存储器件的制造方法，在比可变电阻体（８）形成前所形成的金属布线层（１１）的熔点低的形成温度下形成可变电阻体（８）。更理想的是，在３５０℃～５...
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