包括具有ESD保护电路的集成电路的数据载体制造技术

在数据载体（１）或用于数据载体（１）的集成电路（５）的情况下，ＥＳＤ保护电路（８）利用包括第一保护二极管（１０）和保护极（１１）的串联连接（９）以及与串联连接（９）并联连接的第二保护二极管（２１）来形成，并且提供与ＥＳＤ保护电路（８）相连接的整流器电路（１３），该整流器电路包括与ＥＳＤ保护电路（８）并联连接的整流二极管，其中整流二极管采用具有寄生ｐ／ｎ结（２６）的肖特基二极管（２１）的形式，并且其中具有寄生ｐ／ｎ结（２６）的肖特基二极管（２１）形成ＥＳＤ保护电路（８）的第二保护二极管。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于数据载体的集成电路，该集成电路包括下列装置第一端子和第二端子，其中这两个端子用于与数据载体的传输装置连接；和ESD保护电路，其连接在这两个端子之间，并且包括由第一保护二极管和保护级构成的串联连接，如果超过电压门限可以使该保护级从截止状态进入导通状态，而且该ESD保护电路还包括与串联连接并联连接并且与串联连接的第一保护二极管反向的第二保护二极管；和整流器电路，其连接到ESD保护电路，并且包括与ESD保护电路并联连接的整流二极管。本专利技术还涉及用于与通信站进行非接触式通信的数据载体，该数据载体包括传输装置和与传输装置相连接的集成电路，该集成电路包括下列装置第一端子和第二端子，其中这两个端子与传输装置相连接；和ESD保护电路，该ESD保护电路被连接在这两个端子之间并且包括由第一保护二极管和保护级构成的串联连接，如果超过电压门限可以使该保护级从截止状态进入导通状态，并且该ESD保护电路还包括第二保护二极管，其与串联连接并联连接并且与串联连接的第一保护二极管反向；和整流器电路，其连接到ESD保护电路，并且包括与ESD保护电路并联连接的整流二极管。
技术介绍
上面在第一段落中所述类型的集成电路由申请人开发用于数据载体中并且是公知的。在公知的解决办法中，ESD保护电路的两个保护二极管中的每一个采用简单二极管的形式，即p/n结的形式，其中这两个保护二极管呈现高的载流量，因为在例如按照2000伏的“Human BodyModel(人体模型)(HBM)”的“ESD电压脉冲”(静电放电脉冲)的情况中，这两个保护二极管不得不承受具有大约1.2安培电流的负荷。对于在集成电路中的实现，这样的二极管要求相对大的空间量，这是不适宜的。另外，这样的二极管对两个端子之间的输入电容作了相对大的贡献，这在用于在MHz范围或GHz范围中通信的数据载体的集成电路的情况下是尤其不利的，因为高的输入电容对这样的所谓的RFID数据载体的范围具有不利影响。
技术实现思路
本专利技术的目标是避免上述情况和提供改进的集成电路与改进的数据载体。为了达到上述目标，依照本专利技术的特征被提供给依照本专利技术的集成电路，因此依照本专利技术的集成电路的特征可以如下用于数据载体的集成电路，该集成电路包括下列装置第一端子和第二端子，其中这两个端子被用于与数据载体的传输装置连接；和ESD保护电路，该ESD保护电路被连接在这两个端子之间，并且包括由第一保护二极管和保护级构成的串联连接，如果超过电压门限可以使该保护级从截止状态进入导通状态，并且该ESD保护电路还包括第二保护二极管，其与串联连接并联连接并且与串联连接的第一保护二极管反向；和整流器电路，其连接到ESD保护电路，并且包括与ESD保护电路并联连接的整流二极管，其中整流器电路的整流二极管采用具有寄生p/n结的肖特基二极管的形式，以及其中具有寄生p/n结的肖特基二极管构成ESD保护电路的第二保护二极管。为了达到上述目标，依照本专利技术的特征被提供给依照本专利技术的数据载体，因此依照本专利技术的数据载体的特征可以如下数据载体，用于与通信站进行非接触式通信，该数据载体包括传输装置和与传输装置相连接的集成电路，该集成电路包括下列装置第一端子和第二端子，这两个端子与传输装置相连接；ESD保护电路，其被连接在这两个端子之间，并且包括由第一保护二极管和保护级构成的串联连接，如果超过电压门限可以使该保护级从截止状态进入导通状态，并且E该SD保护电路还包括第二保护二极管，其与串联连接并联连接并且与串联连接的第一保护二极管反向；和整流器电路，其连接到ESD保护电路，并且包括与ESD保护电路并联连接的整流二极管，其中整流器电路的整流二极管采用具有寄生p/n结的肖特基二极管的形式，并且其中具有寄生p/n结的肖特基二极管构成ESD保护电路的第二保护二极管。通过提供按照本专利技术的特征，有可能相当简单地并且实际上没有附加影响地保证对于整流器电路来说，无论如何是必需的并且在此采用具有寄生p/n结的肖特基二极管形式的整流二极管同时用作ESD保护电路的保护二极管，从而可以从ESD保护电路中省略一个具有p/n结的二极管。这具有显著减少集成电路的两个端子之间的输入电容和在ESD保护电路以集成技术实现时获得空间节省的效果。在按照本专利技术的解决方法中，整流器电路可以采用各种形式，例如，可以采用电压乘法器电路的形式。对于整流器电路采用倍压器电路的形式已经证明是特别有利的，这从最简单可能的结构的观点出发是有利的。上面所述的本专利技术的方面及其其他方面从下面描述的实施例的例子中显现，并且参照这个实施例例子进行解释。附图说明本专利技术将进一步参照附图中所示的实施例例子进行进一步描述，然而，本专利技术并不限于此。图1是根据现有技术的数据载体的、在本上下文中是基本的一部分的示意性表示。图2类似于图1表示根据本专利技术的一个实施例例子的数据载体。图3表示根据图2的数据载体的整流二极管。具体实施例方式图1显示了一个已知的数据载体1，该数据载体被提供并被设计用于与通信站(未显示出)进行非接触式通信。这种通信基于所谓的RFID技术而进行，其中非接触式数据传输发生在例如869MHz的载波频率上。在此，数据载体1包括电磁有源的传输装置2，其包括偶极子3。另外，数据载体1包括集成电路5，它由第一端子6和第二端子7组成。传输装置2即偶极子3与两个端子6和7相连。因此，这两个端子6和7用于与数据载体1的传输装置2连接。已知的数据载体1的集成电路5包括ESD保护电路8。ESD保护电路8连接在两个端子6和7之间。ESD保护电路8包括由第一保护二极管10和保护级11构成的串联连接9。保护级11被如此设计，以致于在超过保护级11内固定的电压门限时，可以使该保护级11从截止状态进入导通状态。这样的保护级11在专家圈中已经知道很久了，因为这个原因，详细的电路设计在此就不全面进行检查了。当保护级11处于截止状态中时，它实际上显示无穷大的电阻，因此第一保护二极管10被连接而没有任何影响。当保护级11处于导通状态中时，它显示几乎可以忽略的电阻，因此第一保护二极管10为了实际的用途而与参考电位G相连。ESD保护电路8还包括第二保护二极管12，其与串联连接9并联连接，并且第二保护二极管12相对于串联连接9的第一保护二极管10反向连接，如从图1中看清楚的。两个保护二极管10和12中的每一个采用简单的、传统的二极管形式，即p/n结的形式。两个保护二极管10和12显示高的载流量，在每种情况下，两个保护二极管10和12中的每一个可以短暂地负载具有大约5安培的电流强度的电流而没有操作损坏或损伤。集成电路5还包括整流器电路13，该整流器电路13与ESD保护电路相连，即与ESD保护电路8并联连接。在当前情况下，整流器电路13采用倍压器电路的形式。在此，整流器电路13包括与ESD保护电路8并联连接的第一整流二极管14和第二整流二极管15以及连接这两个整流二极管14与15的下游的存储电容器16。在数据载体1的工作的情况下，工作电压V出现在整流器电路13的第一输入上，而参考电位G出现在第二输入上。利用整流器电路13，电源电压VS可以在数据载体1的工作时产生，电压VS对应于工作电位值V的两倍并被输出到那些需要此电源电压VS的集成电路5的所有元件。第三整流二本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于数据载体（１）的一种集成电路（５），该集成电路（５）包括以下装置：第一端子（６）和第二端子（７），其中这两个端子（６，７）用于与数据载体（１）的传输装置（２）连接，和ＥＳＤ保护电路（８），其被连接在这两个端子（６，７）之 间，并且包括由第一保护二极管（１０）和保护级（１１）构成的串联连接（９），该保护级（１１）在超过电压门限时可以从截止状态进入导通状态，以及该ＥＳＤ保护电路还包括与串联连接（９）并联连接并与串联连接（９）的第一保护二极管（１０）反向的第二保护二极管（１２），和整流器电路（１３），其被连接到ＥＳＤ保护电路（８），并且包括与ＥＳＤ保护电路（８）并联连接的整流二极管，其中整流器电路（１３）的整流二极管采用具有寄生ｐ／ｎ结（２６）的肖特基二极管（２１）的形式，并且其中具 有寄生ｐ／ｎ结（２６）的肖特基二极管（２１）形成ＥＳＤ保护电路（８）的第二保护二极管。

【技术特征摘要】
EP 2002-6-11 02100694.51.用于数据载体(1)的一种集成电路(5)，该集成电路(5)包括以下装置第一端子(6)和第二端子(7)，其中这两个端子(6，7)用于与数据载体(1)的传输装置(2)连接，和ESD保护电路(8)，其被连接在这两个端子(6，7)之间，并且包括由第一保护二极管(10)和保护级(11)构成的串联连接(9)，该保护级(11)在超过电压门限时可以从截止状态进入导通状态，以及该ESD保护电路还包括与串联连接(9)并联连接并与串联连接(9)的第一保护二极管(10)反向的第二保护二极管(12)，和整流器电路(13)，其被连接到ESD保护电路(8)，并且包括与ESD保护电路(8)并联连接的整流二极管，其中整流器电路(13)的整流二极管采用具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)的形式，并且其中具有寄生p/n结(26)的肖特基二极管(21)形成ESD保护电路(8)的第二保护二极管。2.根据权利要求1的集成电路(5)，其中整流器电路(13)采用倍压...

【专利技术属性】
技术研发人员：R布兰德尔，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]