【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包含薄膜晶体管(TFT)的半导体装置以及包含该半导体装置的平板显示装置,尤其是涉及能最小化串扰的半导体装置设计以及包含该半导体装置的平板显示装置。
技术介绍
共平面TFT的设计经常具有一个以上的相互并排形成在基片上的TFT。在TFT的电极的顶部是未形成图案的半导体层。这种设计的缺陷是相邻的TFT之间可能发生串扰。一个解决办法是使半导体层形成图案。然而,使半导体层,尤其是有机半导体层形成图案的缺陷是尤其当由有机材料形成半导体层时,会使形成图案的半导体层的电特性退化。因此,需要设计这样的TFT可以使用在平板显示器中,减少串扰而不会使半导体材料的电特性退化。
技术实现思路
因此,本专利技术的一个目的是提供TFT的改进设计。本专利技术的另一目的是提供使用新的TFT的改进的平板显示器。本专利技术的又一目的是提供TFT的设计,这种设计减少TFT之间的串扰并且不需要半导体层形成图案。本专利技术的再一目的是提供TFT的设计,通过包含很少的接触孔就很容易进行这种设计。这些或其它目的通过进行这样的半导体装置设计可以实现,这种设计包括设置在第一平面上的第一电极,包围第一电 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,包括:设置在第一平面上的第一电极;包围第一电极并且设置在该第一平面上的第二电极;包围第二电极并且设置在该第一平面上的第三电极;包围第三电极并且设置在该第一平面上的第四电极;与第一到第四 电极绝缘并且设置在不同于该第一平面且与该第一平面平行的第二平面上的第一栅极,该第一栅极对应于第一电极和第二电极之间的间隔;与第一到第四电极绝缘并且设置在不同于该第一平面且与该第一平面平行的第三平面上的第二栅极,该第二栅极对应于第三电 极和第四电极之间的间隔;以及与第一栅极和第二栅极绝缘 ...
【技术特征摘要】
KR 2004-8-5 0061670/041.一种半导体装置,包括设置在第一平面上的第一电极;包围第一电极并且设置在该第一平面上的第二电极;包围第二电极并且设置在该第一平面上的第三电极;包围第三电极并且设置在该第一平面上的第四电极;与第一到第四电极绝缘并且设置在不同于该第一平面且与该第一平面平行的第二平面上的第一栅极,该第一栅极对应于第一电极和第二电极之间的间隔;与第一到第四电极绝缘并且设置在不同于该第一平面且与该第一平面平行的第三平面上的第二栅极,该第二栅极对应于第三电极和第四电极之间的间隔;以及与第一栅极和第二栅极绝缘并且与第一到第四电极接触的半导体层。2.如权利要求1所述的半导体装置,其中第二平面和第三平面是相同的。3.如权利要求2所述的半导体装置,其中第二栅极部分包围第一栅极,并且可以将通过第二栅极的开口从第一栅极突出的突出部分设置在第一栅极中。4.如权利要求1所述的半导体装置,其中第二平面和第三平面设置在第一平面的相同侧。5.如权利要求1所述的半导体装置,其中半导体层是有机半导体层。6.如权利要求1所述的半导体装置,进一步包括将第一到第四电极和半导体层与第一栅极和第二栅极绝缘的栅极绝缘层。7.一种平板显示装置,包括基片;设置在第一平面上的第一电极;包围第一电极并且设置在该第一平面上的第二电极;包围第二电极并且设置在该第一平面上的第三电极;包围第三电极并且设置在该第一平面上的第四电极;与第一到第四电极绝缘并且设置在不同于该第一平面且与该第一平面平行的第二平面上的第一栅极,该第一栅极对应于第一电极和第二电极之间的间隔;与第一到第四电极绝缘且设置在不同于该第一平面且与该第一平面平行的第三平面上的第二栅极,该第二栅极对应于第三电极和第四电极之间的间隔;与第一栅极和第二栅极绝缘并且与第一到第四电极接触的半导体层;以及包括像素电极的显示元件,所述像素电极电连接到第一到第四电极之一。8.如权利要求7所述的平板显示装置,其中第二平面和第三平面是相同的,第二栅极部分包围第一栅极。9.如权利要求7所述的平板显示装置,其中第二平面和第三平面比半导体层和第一平面更接近基片。10.如权利要求7所述的平板显示装置,其中像素电极连接到第一电极。11.如权利要求10所述的平板显示装置,进一步包括连接到第一栅极的第一电容器电极;和连接到第二电极的第二电容器电极。12.如权利要求11所述的平板显示装置,进一步包括设置在基片上并且覆盖第一栅极、第二栅极和第一电容器电极的栅极绝缘层;以及设置在基片上并且覆盖第一到第四电极和半导体层的保护层,其中第二平面和第三平面比半导体层和第一平面更接近基片。13.如权利要求12所述的平板显示装置,其中第二电容器电极覆盖保护层的至少一部分。14.如权利要求12所述的平板显示装置,其中第三电极部分包围第二电极,第四电极部分包围第三电极,通过第三电极的开口和第四电极的开口从第二电极突出的突出部分设置在第二电极中,所述突出部分连接到第二电容器电极。15.如权利要求12所述的平板显示装置,其中第一到第四电极设置在栅极绝缘层上,半导体层被设置成覆盖第一到第四电极,第二电容器电极设置在栅极绝缘层上。16.如权利要求12所述的平板显示装置,其中半导体层设置在栅极绝缘层上,第一到第四电极设置在半导体层上,第二电容器电极设置在半导体层上。17.如权利要求12所述的平板显示装置...
【专利技术属性】
技术研发人员:具在本,徐旼彻,
申请(专利权)人:三星移动显示器株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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