晶体管和具有该晶体管的显示装置制造方法及图纸

一种晶体管，包括控制电极、第一电流电极和第二电流电极。控制电极包括主体部分、分别从主体部分的第一和第二端突出的第一和第二手部。第一电流电极与控制电极电绝缘且设置在控制电极的第一及第二手部之间区域的上方。第一电流电极的一部分与控制电极的一部分重叠。第二电流电极与控制电极电绝缘且部分地与控制电极的主体部分、第一手部和第二手部重叠。因此降低了寄生电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示图像的装置。更具体地，本专利技术涉及能够降低寄生电容的晶体管和具有该晶体管的显示装置。
技术介绍
液晶显示(LCD)器使用栅极驱动器集成电路(IC)。例如，栅极驱动器IC通过带式载体封装(tape carrier package)(TCP)、玻璃基芯片(chipon glass)(COG)等被形成。近来，为了降低制造成本，无栅极IC的结构(gate-IC-less structure)被开发。依据使用无栅极IC的结构的LCD装置，尽管不使用栅极驱动器IC，非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)被用作栅极驱动器IC。a-Si TFT被披露在美国专利第5,517,542号和韩国专利公开公告第2002-66962号中。在上述韩国专利公开公告第2002-66962号中，仅使用七个a-Si TFT的移位寄存器和被连接至移位寄存器的布线被披露。图1是说明常规移位寄存器的单元级的电路图。该单元级和常规移位寄存器被披露在韩国专利公开公告第2002-66962号中。参考图1，移位寄存器的每一级包括上拉(pull up)部分110、下拉(pulldown)部分120、上拉驱动部分13本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管，包括：控制电极，其被形成在基底上，该控制电极包括主体部分、从该主体部分的第一端突出的第一手部和从该主体部分的第二端突出的第二手部，第二手部基本上平行于第一手部；第一电流电极，其设置在控制电极的第一和第二手部之间， 该第一电流电极与控制电极电绝缘，该第一电流电极部分地与控制电极的一部分重叠；和第二电流电极，其设置在控制电极上方且与控制电极电绝缘，该第二电流电极部分地与控制电极的主体部分、第一手部和第二手部重叠。

【技术特征摘要】
KR 2004-9-9 2004-00723121.一种晶体管，包括控制电极，其被形成在基底上，该控制电极包括主体部分、从该主体部分的第一端突出的第一手部和从该主体部分的第二端突出的第二手部，第二手部基本上平行于第一手部；第一电流电极，其设置在控制电极的第一和第二手部之间，该第一电流电极与控制电极电绝缘，该第一电流电极部分地与控制电极的一部分重叠；和第二电流电极，其设置在控制电极上方且与控制电极电绝缘，该第二电流电极部分地与控制电极的主体部分、第一手部和第二手部重叠。2.依据权利要求1的晶体管，其中第一电流电极是该晶体管的漏极，第二电流电极是该晶体管的源极。3.依据权利要求1的晶体管，其中第一电流电极包括部分地与该控制电极的第一和第二手部重叠的I形结构。4.依据权利要求3的晶体管，其中第二电流电极包括围绕第一电流电极的I形结构的U形结构。5.依据权利要求1的晶体管，其中在第二电流电极围绕第一电流电极的区域处，在第一电流电极和第二电流电极之间的距离是该晶体管的沟道长度，并且在第二电流电极围绕第一电流电极的区域处，沿着第一和第二电流电极的相对面之间的中间处的距离是该晶体管的沟道宽度。6.依据权利要求1的晶体管，另外包括具有活性层和设置在活性层上的欧姆接触层的半导体层，该半导体层设置在控制电极和第一及第二电极之间。7.依据权利要求6的晶体管，其中半导体层在第一和第二电流电极之间的区域处被暴露。8.依据权利要求6的晶体管，其中活性层包括非晶硅层，欧姆层包括n+掺杂非晶硅层。9.一种晶体管，包括控制电极，其被形成在基底上，该控制电极包括主体部分和从该主体部分突出的至少两个手部；第一电流电极，其与控制电极电绝缘，该第一电流电极包括设置在控制电极的手部之间的区域上方的至少一个手部；和第二电流电极，其与控制电极电绝缘且与第一电流电极间隔开，该第二电流电极包括设置在与控制电极的相应的一个手部重叠的区域处的至少一个手部。10.依据权利要求9的晶体管，其中第一电流电极的手部包括与控制电极的手部重叠的至少一个指部。11.依据权利要求10的晶体管，其中第二电流电极的手部包括设置在控制电极的手部上方的指部，第一电流电极的指部由第二电流电极的指部和第二电流电极的一部分围绕。12.依据权利要求9的晶体管，其中在第二电流电极围绕第一电流电极的区域处，在第一电流电极和第二电流电极之间的距离是该晶体管的沟道长度，并且在第二电流电极围绕第一电流电极的区域处，沿着第一和第二电流电极的相对面之间的中间处的距离是该晶体管的沟道宽度。13.依据权利要求9的晶体管，其中第一电流电极包括朝向控制电极延伸的主体部分；从第一电流电极的主体部分突出的手部；和从第一电流电极的手部突出的指部，该指部设置在控制电极上方。14.依据权利要求9的晶体管，其中第二电流电极包括朝向控制电极延伸的主体部分；从第二电流电极的主体部分突出的手部；和从第二电流电极的手部突出的指部；其中该第二电流电极的手部和指部设置在控制电极上方。15.依据权利要求9的晶体管，其中第一电流电极包括与控制电极重叠的指部，第二电流电极包括与控制电极重叠的手部和从第二电流电极的手部突出的指部，第二电流电极的手部与控制电极重叠，和第一电流电极的指部由第二电流电极的手部和指部围绕。16.依据权利要求9的晶体管，其中控制电极包括从该控制电极主体部分的两端突出的最外侧手部和从主体部分的中央突出的至少一个内侧手部，和第二电流电极包括设置在控制电极最外侧手部上方的最外侧手部和与控制电极的至少一个内侧手部重叠的至少一个内侧手部。17.依据权利要求97的晶体管，另外包括具有活性层和设置在活性层上的欧姆接触层的半导体层，该半导体层设置在中心电极和第一及第二电极之间。18.依据权利要求17的晶体管，其中活性层包括非晶硅层，欧姆接触层包括n+掺杂非晶硅层。19.依据权利要求9的晶体管，其中控制电极包括从主体部分的第一端突出的第一手部；从主体部分的中央突出的第二手部；和从主体部分的第二端突出的第三手部，所述第二端相对于第二手部与第一端相对。20.依据权利要求19的晶体管，其中第一电流电极包括邻近控制电极设置的主体部分；第一手部，其以基本上垂直于主体部分的方向从主体部分突出，该第一电流电极的第一手部设置在控制电极的第一和第二手部之间的区域的上方；和第二手部，其以基本上平行于第一电流电极的第一手部的方向从主体部分突出，该第一电流电极的第二手部设置在控制电极的第二和第三手部之间的区域的上方。21.依据权利要求20的晶体管，其中第一电流电极的第一手部包括第一指部，其以基本...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴倖源，文胜焕，姜南洙，李龙淳，李栢远，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]