【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路，例如，适用于具有可电编程的熔丝(eFuse等)的半导体集成电路。
技术介绍
以往存在源极和漏极互相连接、作为电容器发挥作用的MOS电容器。使用了具有反熔丝(anti-fuse)元件的半导体集成电路(如参照USP 6,667,902)，该反熔丝元件中，在上述MOS电容器的栅极和源极及漏极间施加高压，破坏栅氧化膜，使其导通而编程。但是，将该反熔丝元件编程后读出时，有以下(1)、(2)所示的问题。(1)读出容限低反熔丝元件的电阻有几率地分布。大致分为编程后的元件的电阻值分布和未编程的元件的电阻值分布两种。设计读出电路时，必须看清该分布，以合适的电阻判别值分为编程后的元件和未编程的元件。但是，决定该电阻判别值的读出电路容易受到制造时误差的影响，导致读出容限很低。(2)测试时间增大表示编程的良好程度的标准之一为电阻值，对该值的把握关系到信赖度的提高。测定的方法之一为由某种选择装置使反熔丝元件流通电流，由测试器分别测量其电流值来进行测定。这时，由于对流入每个反熔丝元件的电流进行测量，1个元件所需的测量时间例如需要50msec左右，100根编程...
【技术保护点】
一种半导体集成电路，具有：熔丝元件，设置在编程用电压节点与锁存节点之间，能够电编程；锁存电路，锁存上述锁存节点的电压；以及电流源，通过控制上述锁存电路工作电流的大小来控制电阻判别值，该电阻判别值用于判定上述熔丝元件是否已被编程。
【技术特征摘要】
JP 2005-1-12 2005-0054751.一种半导体集成电路，具有熔丝元件，设置在编程用电压节点与锁存节点之间，能够电编程；锁存电路，锁存上述锁存节点的电压；以及电流源，通过控制上述锁存电路工作电流的大小来控制电阻判别值，该电阻判别值用于判定上述熔丝元件是否已被编程。2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，上述锁存电路具有NAND电路，其第1输入端子被输入上述锁存节点的电位，其第2输入端子被输入预充电信号；以及倒相电路，反转上述NAND电路的输出并输入到上述锁存节点，上述倒相电路具有第1晶体管，其控制端子与上述NAND电路的输出连接，电流路径的一端与第1电源连接；第2晶体管，其控制端子与上述NAND电路的输出连接，电流路径的一端与上述第1晶体管的电流路径的另一端连接，电流路径的另一端与上述电流源的输入连接。3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其中，上述电流源决定上述倒相电路能够从上述锁存节点输出的电流。4.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，上述电流源具有电阻元件，其一端与第1电源连接；第3晶体管，其控制端子及电流路径的一端与上述电阻元件的另一端连接，电流路径的另一端与第2电源连接；第4晶体管，其控制端子与上述第3晶体管的控制端子连接，电流路径的一端与上述锁存电路的输出连接，电流路径的另一端与上述第2电源连接。5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中，上述电流源通过选择上述电阻元件的长度来设定上述电阻判别值。6.一种半导体集成电路，具有熔丝元件，设置在编程用电压节点与电阻值监视用端子之间，能够电编程；恒流源，发生流入上述熔丝元件的电流；比较器，将由流入上述熔丝元件的电流发生的电压与基准电压进行比较，判定上述熔丝元件是否已被编程。7.根据权利要求6所述的半导体集成电路，还具有二极管，其阴极与上述电阻值监视用端子连接，阳极与电源连接；多个二极管群，其阳极与上述电源侧连接，阴极依次与上述电阻值监视用端子侧连接。8.根据权利要求6所述的半导体集成电路，还具有晶体管，其电流路径的一端与上述电阻值监视用端子连接，另一端与电源连接，上述熔丝元件的编...
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