薄膜晶体管、反相器、逻辑器件和半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术涉及一种包括公共栅极的互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）薄膜晶体管、包括ＣＭＯＳ晶体管的逻辑器件、及ＣＭＯＳ薄膜晶体管的制造方法。在一个实施例中，ＣＭＯＳ薄膜晶体管包括基衬底和形成于基衬底上的半导体层。Ｐ沟道晶体管和Ｎ沟道晶体管形成于单一半导体层上以彼此相交且公共栅极形成于相交的区域。另外，肖特基势垒感应材料层形成于Ｐ沟道晶体管的源极和漏极上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件和其制造方法，且更具体而言，本专利技术涉及包括公共栅极的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管、包括CMOS晶体管的逻辑器件、及CMOS晶体管的制造方法。
技术介绍
CMOS晶体管可以包括一起安装于衬底上的PMOS晶体管和NMOS晶体管以互补彼此的功能。这样的半导体器件可以用低功率驱动且以相对高速工作。CMOS晶体管通常使用公共栅极。换言之，当驱动PMOS和NMOS晶体管的任意之一时，将驱动电压施加到两个晶体管的栅极。因此，当驱动NMOS和PMOS晶体管之一，例如，NMOS晶体管时，PMOS晶体管也可能被驱动，尽管其必须为关状态。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种能够仅驱动PMOS晶体管和NMOS晶体管之一而不驱动另一个的互补金属氧化物半导体(CMOS)薄膜晶体管。本专利技术的实施例还提供了包括CMOS薄膜晶体管的逻辑器件。本专利技术的实施例还提供了CMOS薄膜晶体管的制造方法。根据本专利技术的实施例，CMOS晶体管包括基衬底(base substrate)和形成于基衬底上的具有预定形状的半导体层。P沟道晶体管和N沟道晶体管形成于半导体层上，N沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互补金属氧化物半导体薄膜晶体管，包括：基衬底；半导体层，形成于所述基衬底上；Ｐ沟道晶体管，形成于所述半导体层上；Ｎ沟道晶体管，形成于所述半导体层上，所述Ｎ沟道晶体管与所述Ｐ沟道晶体管相交，且所述Ｎ沟道晶体 管和所述Ｐ沟道晶体管具有公共栅极；所述Ｐ沟道晶体管和所述Ｎ沟道晶体管之一的源极和漏极；和肖特基势垒感应材料层，形成于所述源极和漏极的表面上。

【技术特征摘要】
KR 2004-12-16 107159/041.一种互补金属氧化物半导体薄膜晶体管，包括基衬底；半导体层，形成于所述基衬底上；P沟道晶体管，形成于所述半导体层上；N沟道晶体管，形成于所述半导体层上，所述N沟道晶体管与所述P沟道晶体管相交，且所述N沟道晶体管和所述P沟道晶体管具有公共栅极；所述P沟道晶体管和所述N沟道晶体管之一的源极和漏极；和肖特基势垒感应材料层，形成于所述源极和漏极的表面上。2.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述肖特基势垒感应材料层由铂和铒之一形成。3.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述栅极由铂和铒之一形成。4.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述基衬底包括绝缘体上硅衬底或单一半导体衬底。5.一种包括互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的反相器，所述互补金属氧化物半导体薄膜晶体管包括P沟道晶体管；N沟道晶体管，与所述P沟道晶体管相交，所述N沟道晶体管与所述P沟道晶体管具有公共栅极；基衬底；和半导体层，形成于所述基衬底上，其中，所述P沟道晶体管和所述N沟道晶体管形成于所述半导体层上，且肖特基势垒感应材料层形成于所述P沟道晶体管和所述N沟道晶体管之一的源极和漏极的表面上。6.如权利要求5所述的反相器，其中，所述肖特基势垒感应材料层由铂和铒之一形成。7.如权利要求5所述的反相器，其中，所述栅极由铂和铒之一形成。8.一种包括两个互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的NOR逻辑器件，所述互补金属氧化物半导体薄膜晶体管均包括P沟道晶体管；N沟道晶体管，与所述P沟道晶体管相交，所述N沟道晶体管与所述P沟道晶体管具有公共栅极；基衬底；和半导体层，形成于所述基衬底上，其中，所述P沟道晶体管和所述N沟道晶体管形成于所述半导体层上，且肖特基势垒感应材料层形成于所述P沟道晶体管和所述N沟道晶体管之一的源极和漏极的表面上。9.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：金汶庆，李兆运，朴允童，金桢雨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]