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本发明涉及一种包括公共栅极的互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）薄膜晶体管、包括ＣＭＯＳ晶体管的逻辑器件、及ＣＭＯＳ薄膜晶体管的制造方法。在一个实施例中，ＣＭＯＳ薄膜晶体管包括基衬底和形成于基衬底上的半导体层。Ｐ沟道晶体管和Ｎ沟道晶体管形成于单...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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