单片集成电容器及其制造方法技术

具有可变电容的单片集成电容器，包括第一掺杂类型（ｐ）的第一半导体区结构（１３；９１）、与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型（ｎ＋）的第二半导体区结构（１１；８２）、与第一半导体区结构相连的电容器的第一电极（１６）、以及与第二半导体区结构相连的电容器的第二电极（１５）。第二半导体区结构与所述第一半导体区结构接触，并至少横向地设置在所述第一半导体区结构的两个相对侧上，第一和第二半导体区结构之间的边界（１４）（优选地是平的边界）相对于具有横向法线（１８）的平面（１７）是倾斜的。优选地，第二半导体区结构在侧向平面部分或完全环绕所述第一半导体区结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及集成电路
，更具体地，本专利技术涉及单片集成电容器及该单片集成电容器的制造方法。
技术介绍
具有一定电容值的电容器，其电容值例如可以通过改变电容器上的电压而电子学地改变，这样的电容器有时也称为变抗器、可变电容二极管或可调谐电容器。术语变抗器意味着可变的电抗，但通常用作可变电容的特殊情况。可调谐电容器原则上可以基于任何二极管或晶体管。已经提出和申请了这些结构的若干变化以改善所感兴趣的特定参数，例如调谐范围，例如见美国专利No.6,738,601、6,420,939、5,914,513、5,220,194和4,490,772。文献中报道的调谐范围值依赖于应用和技术变化很大。对于基于MOS的器件，对于标准解决方案典型值大约为2，对于使用专用器件和合理控制的电压摆幅典型值大约为4，例如，见J.Maget，M.Tiebout和R.Kraus在IEEE Journal of，Vol.37，Issue 7，July2002，pp.953-958发表的Influence of novel MOS varactors on theperformance of a fully本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有可变电容的单片集成电容器，包括：－掺杂成第一掺杂类型（ｐ）的第一半导体区结构（１３；９１），－掺杂成第二掺杂类型（ｎ＋）的第二半导体区结构（１１；８２），其与所述第一半导体区结构接触，并至少横向地设置在所述第一半导体 区结构的两个相对侧上，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，－与所述第一半导体区结构相连的所述电容器的第一电极（１６），以及－与所述第二半导体区结构相连的所述电容器的第二电极（１５），其特征在于－所述第一和 第二半导体区结构之间的边界（１４）相对于具有横向法线（１８）的平面（１７...

【技术特征摘要】
EP 2004-12-13 04029487.81.一种具有可变电容的单片集成电容器，包括-掺杂成第一掺杂类型(p)的第一半导体区结构(13；91)，-掺杂成第二掺杂类型(n+)的第二半导体区结构(11；82)，其与所述第一半导体区结构接触，并至少横向地设置在所述第一半导体区结构的两个相对侧上，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，-与所述第一半导体区结构相连的所述电容器的第一电极(16)，以及-与所述第二半导体区结构相连的所述电容器的第二电极(15)，其特征在于-所述第一和第二半导体区结构之间的边界(14)相对于具有横向法线(18)的平面(17)是倾斜的。2.权利要求1所述的电容器，其中所述第一和第二半导体区结构之间的所述边界是基本平的。3.权利要求1所述的电容器，其中所述第一和第二半导体区结构之间的所述边界相对于具有横向法线的所述平面定义大小为约5°到约25°的角度(α)。4.权利要求1所述的电容器，其中所述第二半导体区结构在侧向平面部分或完全环绕所述第一半导体区。5.权利要求1所述的电容器，其中所述第一和第二半导体区结构之间的所有边界相对于具有横向法线的平面是倾斜的。6.权利要求1所述的电容器，其中所述第一半导体区结构从上面看具有基本圆形、椭圆形、方形、矩形或细长形的形状。7.权利要求1所述的电容器，其中所述第二半导体区结构从上面看基本是环形的。8.权利要求1所述的电容器，其中取决于所述电容器上施加的电压，耗尽层边界(19)可在所述第一半导体区结构中移动，由此获得所述可变的电容。9.权利要求8所述的电容器，其中所述耗尽层边界可在所述第一半导体区结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：T阿恩博尔格，T约翰松，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]