【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种变容管结构，具体地说是一种栅极控制变容管，可应用于需 要外接或内置变容二极管的集成电路。技术背景目前市场上大量应用的变容管技术为P-N结型变容管，其技术方面的瓶颈 有以下几个方面1、结构简单，具有'漏电流；2、频率范围宽度不够；3、 C-V 曲线一般；4、寄生参数大。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是提供一种。该变容 管结构比较完善，克服了漏电流现象；同时其频率范围宽、C-V曲线较好；而 且寄生参数比较小，可大大提高使用该变容管的集成电路性能。为解决上述问题，本专利技术采取以下方案在埋层的上面有外延；在外延内 的上部有P型阱区；在P型阱区的上部有P+离子注入，并且从P+离子注入需要 引出的地方有合金引出，该合金引出作为基准电位的输入端；在P型阱区的表 面生长出栅氧化物和场氧化物，并且在栅氧化物和场氧化物的上面生长覆盖物 栅多晶；在对应于场氧化物正上方的栅多晶处形成合金引出，作为变容管电容 的控制端；在对应于埋层边缘处的外延内有深磷，并且深磷的下端与埋层相连； 从深磷的上端需要引出的地方有合金引出，作为电源端；在栅多晶和合金引出 以外的外...
【技术保护点】
一种栅极控制变容管结构，其特征是：在埋层（１０）的上面有外延（８）；在外延（８）内的上部有Ｐ型阱区（６）；在Ｐ型阱区（６）的上部有Ｐ＋离子注入（１２），并且从Ｐ＋离子注入（１２）需要引出的地方有合金引出（１１’），该合金引出（１１’）作为基准电位（３）的输入端；在Ｐ型阱区（６）的表面生长出栅氧化物（９）和场氧化物（５’），并且在栅氧化物（９）和场氧化物（５’）的上面生长覆盖物栅多晶（４）；在对应于场氧化物（５’）正上方的栅多晶（４）处形成合金引出（１１”），作为变容管电容（１）的控制端；在对应于埋层（１０）边缘处的外延（８）内有深磷（７），并且深磷（７）的下端与埋层（１０）...
【技术特征摘要】
1、一种栅极控制变容管结构，其特征是在埋层(10)的上面有外延(8)；在外延(8)内的上部有P型阱区(6)；在P型阱区(6)的上部有P+离子注入(12)，并且从P+离子注入(12)需要引出的地方有合金引出(11’)，该合金引出(11’)作为基准电位(3)的输入端；在P型阱区(6)的表面生长出栅氧化物(9)和场氧化物(5’)，并且在栅氧化物(9)和场氧化物(5’)的上面生长覆盖物栅多晶(4)；在对应于场氧化物(5’)正上方的栅多晶(4)处形成合金引出(11”)，作为变容管电容(1)的控制端；在对应于埋层(10)边缘处的外延(8)内有深磷(7)，并且深磷(7)的下端与埋层(10)相连；从深磷(7)的上端需要引出的地方有合金引出(11)，作为电源端(2)；在栅多晶(4)和合金引出(11、11’、11”)以外的外延(8)的上表面覆盖有场氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁国华，周烨，贺洁，胡斌，
申请(专利权)人：无锡硅动力微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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