垂直结构的半导体芯片的电极制造技术

本发明专利技术揭示一种高发光效率的垂直结构的半导体芯片。高发光效率的垂直结构的半导体芯片的一个具体实施实例的结构如下：（１）一外延层；外延层包括：Ｎ＋／Ｎ＋＋类型限制层，活化层，Ｐ类型限制层。（２）一导电支持衬底。（３）一反射／欧姆／键合层；导电反射／欧姆／键合层层叠在外延层和导电支持衬底之间。（４）图形化的电极；图形化电极形成在Ｎ＋／Ｎ＋＋类型限制层上。本发明专利技术的垂直结构半导体芯片的工作电压较低，发光效率进一步提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术揭示一种高发光效率的垂直结构的半导体芯片，包括，垂直结构的氮 化镓基、磷化镓基、镓氮磷基和氧化锌基芯片(包括，垂直结构的氮化镓基、磷化镓基、镓氮磷基和氧化锌基发光二极管芯片(LED))。属于半导体电子技 术领域。
技术介绍
为了解决磷化镓(GaP)基LED的砷化镓(GaAs)生长衬底吸收光辐射，氮 化镓(GaN)基LED的蓝宝石生长衬底的散热效率低，等问题，垂直结构磷化镓 基和氮化镓基LED芯片被分别提出，其基本结构如下反射/欧姆层层叠在磷化 镓基或氮化镓基外延层与导电支持衬底之间(生长衬底己经被剥离)，形成垂直磷 化镓基或氮化镓基LED。垂直结构的半导体芯片具有很多优点，例如，高热导率， 电流分布均匀，可在大电流下工作，等。在先的垂直结构半导体芯片包括反 射/欧姆/键合层，P类型限制层，活化层，N+/N++类型限制层，和N类型限制 层依次层叠在导电支持衬底上，图形化的电极层叠在N类型限制层上。因为N类型限制层的电阻比N+/N++类型限制层的电阻大，因此，工作电压 较高，发光效率较低。因此，需要进一步降低工作电压，以提高发光效率。本专利技术公开一种高发光效率的垂直结构的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直结构半导体芯片，其特征在于，垂直结构半导体芯片包括：＊导电支持衬底；＊导电反射／欧姆／键合层；＊半导体外延层；所述的半导体外延层包括：Ｐ类型限制层，活化层，Ｎ＋／Ｎ＋＋类型限制层；其中，所述的导电反射／欧姆／键合层，Ｐ类型限制层，活化层，Ｎ＋／Ｎ＋＋类型限制层依次层叠在导电支持衬底上；＊一个图形化的电极；其中，所述的图形化的电极层叠在所述的Ｎ＋／Ｎ＋＋类型限制层上。

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构半导体芯片，其特征在于，垂直结构半导体芯片包括*导电支持衬底；*导电反射/欧姆/键合层；*半导体外延层；所述的半导体外延层包括P类型限制层，活化层，N+/N++类型限制层；其中，所述的导电反射/欧姆/键合层，P类型限制层，活化层，N+/N++类型限制层依次层叠在导电支持衬底上；*一个图形化的电极；其中，所述的图形化的电极层叠在所述的N+/N++类型限制层上。2. 权利要求l的垂直结构半导体芯片，其特征在于，所述的半导体外延层的材 料是从一组材料中选出，该组材料包括(1)氮化镓基材料，即，元素镓、铝、 铟、氮等的二元系，三元系和四元系材料；所述的氮化镓基的二元系，三元系 和四元系材料包括，GaN， AlGaN， GalnN, AlGalnN;所述的氮化镓基外延层的 晶体平面包括c-平面，a-平面，m-平面；(2)磷化镓基材料，S卩，元素镓、铝、 铟、磷的二元系，三元系和四元系材料；所述的磷化镓基的二元系，三元系和 四元系材料包括，GaP， AlGaP， GalnP， AlGalnP; (3)镓氮磷基材料，即，元 素镓、铝、铟、氮、磷等的二元系，三元系，四元系和五元系材料；所述的镓 氮磷的二元系，三元系，四元系和五元系材料包括，GaNP, AlGaNP， GalnNP， AlGalnNP; (4)氧化锌基材料，包括，Zn0;所述的半导体芯片的活化层的结构 是从一组结构中选出，该组结构包括体，单量子阱，多量子阱，量子点，量 子线。3. 权利要求1的垂直结构半导体芯片，其特征在于，所述的半导体外延层的 ,^++类型限制层的表面被粗化或形成光子晶体结构。4. 权利要求1的垂直结构半导体芯片，其特征在于，所述的导电反射/欧，/键合 层具有多层结构；每层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括分布布喇 格反射层，金属铝，银，金，锡，镍，铬，钛，铍，及所述的金属的合金；所 述的金属的合金包括金锡，银锡，金铍。5. 权利要求l的垂直结构半导体芯片，其特征在于，所述的导电支持衬底的材 料是从一组材料中选出，该组材料包括金属化硅片，金属化陶瓷片，导电硅 片，导电砷化镓片，导电磷化镓片，金属，合金；金属和合金包括铜，钼， 鸨铜；所述的金属化硅片包括带有防静电二极管的金属化硅片和不带有防静 电二极管的金属化硅片。6. 权利要求l的垂直结构半导体芯片，其特征在于，所述的图形化的电极的形 状包...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭晖，
申请(专利权)人：金芃，彭晖，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]