发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管，所述发光二极管包括一基底；一反射层设置于上述基底上；一第一半导体层设置于上述反射层上；一第二半导体层设置于上述第一半导体层上；一活性层设置于上述第一半导体层与第二半导体层之间；一透明电极设置于上述第二半导体层上，该透明电极包括一上表面及一下表面，该透明电极的下表面与第二半导体层接触；一第一衍射光栅结构设置于上述透明电极的上表面。该发光二极管进一步包括一第二衍射光栅结构，该第二衍射光栅结构设置于上述第一半导体层与反射层之间。该发光二极管将因全反射而限制于其内的光线重新射出，从而提高了该发光二极管的提取效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管，尤其涉及具有较高光提取效率的发光二极管。技术背景由氮化镓基(GaN)半导体材料制成的高效蓝光、绿光和白光发光二极管 (LED)具有寿命长、节能、绿色环保等显著特点，已被广泛应用于大屏幕彩 色显示、汽车照明、交通信号、多媒体显示和光通讯等领域，特别是在照明领 域具有广阔的发展潜力。传统的LED由下至上依次包括蓝宝石基板、电子型(N型)GaN层、InGaN 活性层及空穴型(P型)GaN层。在N型GaN层上设有一电极，在P型GaN 层上设有一透明电极如氧化锡铟(ITO)等。LED处于工作状态时，空穴由透明电极引入P型GaN层，再由P型GaN 层注入到InGaN活性层；电子由电极注入N型GaN层，再由N型GaN层注入 到InGaN活性层；在InGaN活性层中，空穴与电子复合而产生光，该光透过透 明电极发射出LED。然而，现有的LED提取效率(LED释放出的光/活性层中产生的光)较低， 这主要是由于全反射现象与材料对光的吸收引起的。全反射现象的产生是由于 半导体的折射率大于空气的折射率。来自活性层的光在半导体与空气的界面处发生全反射，从而大部分光被限制在LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其包括：一基底；一反射层设置于上述基底上；一第一半导体层设置于上述反射层上；一第二半导体层设置于上述第一半导体层上；一活性层设置上述第一半导体层与第二半导体层之间；一透明电极设 置于上述第二半导体层上，该透明电极包括一上表面及一下表面，该透明电极的下表面与第二半导体层接触；以及一第一衍射光栅结构设置于上述透明电极的上表面，其特征在于：该发光二极管进一步包括一第二衍射光栅结构，该第二衍射光栅结构设置于上述第一 半导体层与反射层之间。

【技术特征摘要】
1. 一种发光二极管，其包括一基底；一反射层设置于上述基底上；一第一半导体层设置于上述反射层上；一第二半导体层设置于上述第一半导体层上；一活性层设置上述第一半导体层与第二半导体层之间；一透明电极设置于上述第二半导体层上，该透明电极包括一上表面及一下表面，该透明电极的下表面与第二半导体层接触；以及一第一衍射光栅结构设置于上述透明电极的上表面，其特征在于该发光二极管进一步包括一第二衍射光栅结构，该第二衍射光栅结构设置于上述第一半导体层与反射层之间。2. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该第一半导体层与第 二半导体层具有相对的极性。3. 如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，该第一半导体层为电 子型氮化镓层、电子型砷化镓层及电子型磷化铜层。4. 如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，该第二半导体层为空 穴...

【专利技术属性】
技术研发人员：许振丰，金国藩，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]