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本发明涉及一种发光二极管,所述发光二极管包括一基底;一反射层设置于上述基底上;一第一半导体层设置于上述反射层上;一第二半导体层设置于上述第一半导体层上;一活性层设置于上述第一半导体层与第二半导体层之间;一透明电极设置于上述第二半导体层上,该...该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种发光二极管,所述发光二极管包括一基底;一反射层设置于上述基底上;一第一半导体层设置于上述反射层上;一第二半导体层设置于上述第一半导体层上;一活性层设置于上述第一半导体层与第二半导体层之间;一透明电极设置于上述第二半导体层上,该...