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本发明揭示一种高发光效率的垂直结构的半导体芯片。高发光效率的垂直结构的半导体芯片的一个具体实施实例的结构如下：（１）一外延层；外延层包括：Ｎ＋／Ｎ＋＋类型限制层，活化层，Ｐ类型限制层。（２）一导电支持衬底。（３）一反射／欧姆／键合层；导电反...
该专利属于金芃;彭晖所有，仅供学习研究参考，未经过金芃;彭晖授权不得商用。

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