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本发明涉及一种变容管结构，具体地说是一种栅极控制变容管，可应用于需要外接或内置变容二极管的集成电路。按照本发明提供的技术方案，在埋层的上面有外延；在外延内的上部有Ｐ型阱区；在Ｐ型阱区的上部有Ｐ＋离子注入，并且从Ｐ＋离子注入需要引出的地方有合...
该专利属于无锡硅动力微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡硅动力微电子股份有限公司授权不得商用。

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