【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种半导体存储元件结构及其制作方法，特别是关于一种动态随机存取存储器(DRAM)的电路布局、结构及其制作方法。
技术介绍
动态随机存取存储器是一种广泛应用于各种电子产品的集成电路组件，尤其在今日的信息电子产业中更占有不可或缺的地位，而随着技术的演进，目前生产线上常见的DRAM储存单元大多是由一晶体管和一电容所构成，基本上，晶体管的源极是连接到一对应的位线(bit line)BL，漏极连接到一电容的一储存电极(storage electrode)，而栅极则连接到一对应的字符线(wordline)WL，电容的一相对电极(opposed electrode)是连接到一固定电压源，而在储存电极和相对电极之间则设置一介电层。如熟习此项技艺者所熟知，晶体管是用来作为一开关，以控制读取与写入，电容则可藉由其内部电荷的储存与否来代表字符1或0，而达到储存电子信息的功能。请参考图1及图2，图1是显示一习知半导体存储元件10的俯视图，而图2则为图1中A-A′线上的剖面示意图。如图1及图2所示，半导体存储元件10设于一基板上，其上设有多条沿一第一方向30排列的字符线...
【技术保护点】
一种半导体存储元件的制作方法，其包含有；提供一半导体基板，该半导体基板表面具有多个深沟槽，各该深沟槽包含有一第一侧、相对于该第一侧的一第二侧以及一第三侧位于该第一侧与该第二侧之间，该半导体基板表面并定义有多个有源区域，设于各该深沟槽 之上，且与该深沟槽部分重叠；于各该深沟槽内形成一颈氧化层，该颈氧化层包含有一第一侧壁、一第二侧壁以及一第三侧壁，分别邻接于各该深沟槽的该第一侧、该第二侧以及该第三侧；于各该深沟槽底部形成一电容，该电容包含有一下电极、一上电极 以及一介电层位于该下电极与该上电极之间，该上电极的顶部高度高于该颈氧化层的底...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储元件的制作方法，其包含有；提供一半导体基板，该半导体基板表面具有多个深沟槽，各该深沟槽包含有一第一侧、相对于该第一侧的一第二侧以及一第三侧位于该第一侧与该第二侧之间，该半导体基板表面并定义有多个有源区域，设于各该深沟槽之上，且与该深沟槽部分重叠；于各该深沟槽内形成一颈氧化层，该颈氧化层包含有一第一侧壁、一第二侧壁以及一第三侧壁，分别邻接于各该深沟槽的该第一侧、该第二侧以及该第三侧；于各该深沟槽底部形成一电容，该电容包含有一下电极、一上电极以及一介电层位于该下电极与该上电极之间，该上电极的顶部高度高于该颈氧化层的底部高度，但低于该颈氧化层的顶部高度；部分移除该颈氧化层的该第二侧壁，以使该第二侧壁的顶部高度低于该第一侧壁的顶部高度；于该上电极与该第二侧壁的上方形成一埋藏式导电层；于该半导体基板内邻近该深沟槽的该第二侧边处形成一埋藏式导电带，该埋藏式导电带是邻接于该埋藏式导电层；以及于该半导体基板表面邻近于该深沟槽的该第二侧边处形成一晶体管，各该晶体管包含有一源极、一漏极以及一栅极，且该漏极是经由该埋藏式导电带以及该埋藏式导电层电连接至该电容的该上电极。2.根据权利要求1所述的半导体存储元件的制作方法，其中该方法在制作该些晶体管前，另包含有下列步骤形成一图案化的光阻层，覆盖于该些深沟槽及该些有源区域上；进行一黄光制程，以部分移除该半导体基底以及该第三侧壁，而于邻近各该深沟槽的该第三侧处形成一开口，该开口是平行于该有源区域；以及于该开口内形成一隔离层。3.根据权利要求1所述的半导体存储元件的制作方法，其中该方法另包含有于该半导体基板表面形成一介电层；于该介电层内形成多个接触插塞，各该接触插塞是分别电连接至一晶体管；以及于该介电层上形成多条平行排列的位线，该位线是电连接至多个接触插塞，并藉由该些接触插塞电连接至多个晶体管。4.根据权利要求1所述的半导体存储元件的制作方法，其中制作该晶体管包含有下列步骤于该半导体基板表面形成多条字符线，各该字符线穿过该有源区域；以及进行一离子布植制程，以于该半导体基板表面的有源区域内形成二掺杂区，该二掺杂区分别位于该字符线的两侧。5.根据权利要求4所述的半导体存储元件的制作方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文岳，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。