电容器装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电容器装置及其制造方法，其形成具Ｔ字型的电容器装置，以有效的利用扩散阻挡层与下电极层将具高介电常数的介电层与插塞隔离，以避免具有高介电常数的介电层所含的含氧组成物扩散进入插塞中，导致氧化情况的产生，从而提升高介电常数的介电层在工艺上应用，并大幅度改善使用高介电常数的介电材料作为电容器组件的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种使用高介电常数的材料作为介 电材的。
技术介绍
内存(DRAM)数组内的每个单元胞，是由一颗N型晶体管(刚0S)与一电容器组成。其 中，晶体管负责该组DRAM单元胞的开关动作，而电容器则是用于储存电荷，也就是用来储存 数据。因此，如果能够在电容器内储存更多的电荷，将使得数据判读，不论是速度方面或准 确性方面，都会得到提高，对电容器进行再补充的频率也可大幅度的减少。如何有效的增进荷电能力，成为技术开发上的主要目标，电容器的荷电量(Q)正比于电 容(C)，而电容(C)的值则可以进一步的以下列方程式进行说明C=[(kX e X e 0)/t] XA其中e为电容材料的介电常数，A为电容器用以储存电荷的有效面积，t为电容介电层的 使用厚度。由上面的方程式可以得知欲增加电容的荷电能力，可以通过使用具高介电常数的介电材 来实现，因此具高介电常数的钛酸钡锶(Barium Strontium Titanate， BST)、五氧化二钽 (Tantal咖Pentoxide)等成为可选择的较佳的介电材料。请参阅图1所示，它是目前使用BST作为介电材的电容器的剖视图。此种电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器装置，其特征在于包括：一半导体衬底，其上具有数个插塞；一第一内介电层，位于该半导体衬底上；一蚀刻终止层，位于该第一内介电层上；一第二内介电层，位于该蚀刻终止层上；一Ｔ字型沟槽，其贯穿该第一内介电层、该蚀刻终止层与该第二内介电层，且所述插塞自该Ｔ字型沟槽底端曝露出；一扩散阻挡层，其位于该Ｔ字型沟槽内的四周壁上；一下电极层，其位于该Ｔ字型沟槽内的该扩散阻碍层上；一介电层，其覆盖于该下电极层、该扩散阻碍层与该第二内介电层的表面；一上电极层，其位于该介电层上。

【技术特征摘要】
1. 一种电容器装置，其特征在于包括一半导体衬底，其上具有数个插塞；一第一内介电层，位于该半导体衬底上；一蚀刻终止层，位于该第一内介电层上；一第二内介电层，位于该蚀刻终止层上；一T字型沟槽，其贯穿该第一内介电层、该蚀刻终止层与该第二内介电层，且所述插塞自该T字型沟槽底端曝露出；一扩散阻挡层，其位于该T字型沟槽内的四周壁上；一下电极层，其位于该T字型沟槽内的该扩散阻碍层上；一介电层，其覆盖于该下电极层、该扩散阻碍层与该第二内介电层的表面；一上电极层，其位于该介电层上。2、 如权利要求l所述的电容器装置，其特征在于该扩散阻碍层的材料为氮化钛、氮化硅钛 或氮化铝钛中的一种或多种。3、 如权利要求l所述的电容器装置，其特征在于该下电极的材料选自白金、钉、氧化钌、 氧化钉、铱、氧化铱、氧化铱中的一种或多种。4、 如权利要求l所述的电容器装置，其特征在于该上电极层的材料选自白金、钉、氧化钌、氧化钉、铱、氧化铱、氧化铱中的一种或多种。5、 如权利要求l所述的电容器装置，其特征在于该介电层的材料选自钛酸钡锶、氧化钽中的一种或多种。6、 如权利要求l所述的电容器装置，其特征在于该插塞的材料为多晶硅。7、 如权利要求l所述的电容器装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：许允埈，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]