制造DRAM电容器结构的方法技术

一种形成用于动态随机存取存储器的电容器结构的方法。该方法包括形成覆盖半导体衬底；形成覆盖器件层的第一层间电介质；形成第一层间电介质层内的通孔结构；形成覆盖第一层间电介质层的第一氧化物层；形成覆盖第一氧化物层的阻挡层；形成覆盖第一阻挡层的第二氧化物层；形成穿过一部分第二氧化物层、一部分阻挡层及一部分第一氧化物层的沟槽区；形成底部电极结构以勾画出沟槽区；用掩模层保护底部电极结构并选择性地去除第二氧化物层，直到起蚀刻阻挡作用的阻挡层，以暴露出底部电极结构的外部区；形成覆盖底部电极结构的外部区及底部电极结构的内部区的电容器电介质层；形成覆盖电容器电介质层的上电容器极板，以形成电容器结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于半导体器件制造的集成电路及其加工。特别地，本发 明提供了制造用于动态随M取存储器， 一般称为DRAM，的电容器结构 的方法和结构。但是应该认识到，本专利技术的适用范围要广泛得多。
技术介绍
集成电路已经将在单个硅片上制造的互连器件由几个发展到数百万 个。传统的集成电路所提供的性能及复杂程度已远远超过了最初所想象 的。为了提高复杂度和电路密度(即，在给定的芯片面积上能够封装的器 件的数量)，最小的器件特征尺寸，也就是公知的器件几何尺寸 (geometry),已经随着集成电路的发展变得更小。增加电路密度不仅提高了集成电路的复杂度和性能，而且为用户提供 了较低成本的部件。 一套集成电路生产设备可能要花费几亿甚至几十亿美 元。每个生产设备都有一定的晶片生产量，而且每个晶片上都要有一定数 量的集成电路。因此，通过把一个集成电路上的各个器件做得更小，就可 以在每一个晶片上做更多的器件，这样就可以增加生产设备的产量。将器 件做得更小是非常具有挑战性的，因为完整的制造中所采用的每一个工艺 都有极限。也就是说，典型地， 一个特定的工艺只能将器件减小到某个特 征尺寸，然后就需要改变工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成用于动态随机存取存储器的电容器结构的方法，该方法包括：形成覆盖半导体衬底的器件层；形成覆盖所述器件层的第一层间电介质；形成所述第一层间电介质层内的通孔结构；形成覆盖所述第一层间电介质层的第一氧化物层； 形成覆盖所述第一氧化物层的阻挡层；形成覆盖所述第一阻挡层的第二氧化物层，形成穿过一部分所述第二氧化物层、一部分所述阻挡层及一部分所述第一氧化物层的沟槽区；形成底部电极结构，以勾画出所述沟槽区，所述底部电极结构 包括内部区，所述底部电极结构耦合到所述通孔结构；利用掩模...

【技术特征摘要】
1. 一种形成用于动态随机存取存储器的电容器结构的方法，该方法包括形成覆盖半导体衬底的器件层；形成覆盖所述器件层的第一层间电介质；形成所述第一层间电介质层内的通孔结构；形成覆盖所述第一层间电介质层的第一氧化物层；形成覆盖所述第一氧化物层的阻挡层；形成覆盖所述第一阻挡层的第二氧化物层，形成穿过一部分所述第二氧化物层、一部分所述阻挡层及一部分所述第一氧化物层的沟槽区；形成底部电极结构，以勾画出所述沟槽区，所述底部电极结构包括内部区，所述底部电极结构耦合到所述通孔结构；利用掩模层保护所述底部电极结构；选择性地去除所述第二氧化物层，直到所述起蚀刻阻挡作用的阻挡层，以暴露出所述底部电极结构的外部区；形成覆盖所述底部电极结构的外部区及所述底部电极结构的内部区的电容器电介质层；以及形成覆盖所述电容器电介质层的上电容器极板，以形成电容器结构。2. 如权利要求l所述的方法，其中所述沟槽区的高宽比(高度与宽度 比)大于10。3. 如权利要求l所述的方法，其中所述阻挡层包括氮化硅层。4. 如权利要求l所述的方法，进一步包括淀积半球形颗粒的硅以覆盖 所述底部电极的内部区。5. 如权利要求l所述的方法，其中所述第一氧化物层是从BPSG、 FSG 和正硅酸乙脂(TEOS)中选择的。6. 如权利要求l所述的方法，其中所述第二氧化物层是从BPSG、 FSG 和正硅酸乙脂(TEOS)中选择的。7. 如权利要求l所述的方法，其中所述通孔包括插棒结构。8. 如权利要求l所述的方法，其中所述选择性地去除的步骤包括采用 緩冲氧化物蚀刻剂的湿法蚀刻。9. 如权利要求l所述的方法，其中所述阻挡层包括约50埃到约100埃 的厚度。10. 如权利要求1所述的方法，其中所述上电容器极板包括多晶硅材料。11. 一种形成用于动态随MM储器的多个电容器结构的方法，所述方 法包括 形成覆盖半...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正起，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]