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一种形成用于动态随机存取存储器的电容器结构的方法。该方法包括形成覆盖半导体衬底;形成覆盖器件层的第一层间电介质;形成第一层间电介质层内的通孔结构;形成覆盖第一层间电介质层的第一氧化物层;形成覆盖第一氧化物层的阻挡层;形成覆盖第一阻挡层的第二...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种形成用于动态随机存取存储器的电容器结构的方法。该方法包括形成覆盖半导体衬底;形成覆盖器件层的第一层间电介质;形成第一层间电介质层内的通孔结构;形成覆盖第一层间电介质层的第一氧化物层;形成覆盖第一氧化物层的阻挡层;形成覆盖第一阻挡层的第二...