【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管的结构。本专利技术还涉及一种发光二极管的 结构的制作方法。技术背景现有的发光二极管的结构可参见图l所示，由下到上依次包括衬底层l、缓冲层2、未掺杂的GaN层3、 N型GaN层4、多量子阱层5、 P型A1G認层 6、 P型GaN层7和接触层8，所述接触层上设置有P型电极，所述N型GaN 层上设置有N型电极。所述N型GaN层掺有Si元素。使用MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor D印osition金属有机化学气相沉积)生长GaN发 光二极管，使用AL03作为衬底层1，接着生长缓冲层2，缓冲层2的生长温 度在53(TC，其厚度为250A;未掺杂的GaN层3的生长温度为1050°C，厚 度为2pm; N型掺Si的GaN层4的生长温度为1050°C，厚度为3pm;多量 子阱层5中，阱以730。C生长，厚度为30A，垒层(barrier)在850。C生 长，厚度为150A; P型AlGaN的生长温度为95(TC，其厚度为500A， P型 GaN的生长温度为90(TC，其厚度为2000A，接触层生长温度为800...
【技术保护点】
一种发光二极管的结构，其中包括Ｎ型ＧａＮ层、多量子阱层、Ｐ型ＡｌＧａＮ层，其特征在于，所述Ｎ型ＧａＮ层与所述多量子阱层之间还间隔有多量子阱缓冲层，所述多量子阱缓冲层包含有一个或多个ＩｎＧａＮ／ＧａＮ的复合结构，每个ＩｎＧａＮ／ＧａＮ的复合结构都包括一层位于下面的ＩｎＧａＮ层和一层位于上面的ＧａＮ层，所述ＩｎＧａＮ／ＧａＮ的复合结构中，所述ＩｎＧａＮ层的厚度大于所述ＧａＮ层的厚度，所述ＩｎＧａＮ层中Ｉｎ的掺杂百分比含量低于所述多量子阱的阱层中Ｉｎ的掺杂百分比含量。
【技术特征摘要】
1. 一种发光二极管的结构，其中包括N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层，其特征在于，所述N型GaN层与所述多量子阱层之间还间隔有多量子阱缓冲层，所述多量子阱缓冲层包含有一个或多个InGaN/GaN的复合结构，每个InGaN/GaN的复合结构都包括一层位于下面的InGaN层和一层位于上面的GaN层，所述InGaN/GaN的复合结构中，所述InGaN层的厚度大于所述GaN层的厚度，所述InGaN层中In的掺杂百分比含量低于所述多量子阱的阱层中In的掺杂百分比含量。2. 根据权利要求1所述的发光二极管的结构，其特征在于，所述多量 子阱中包含有1 10个InGaN/GaN的复合结构。3. 根据权利要求1所述的发光二极管的结构，其特征在于，所述多量 子阱中InGaN的组成为I仏GahN，其中0《x〈1。4. 根据权利要求1所述的发光二极管的结构，其特征在于，所述 InGaN/GaN的复合结构中InGaN层的厚度为60A 500A。5. 根据权利要求1所述的发光二极管的结构，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：林振贤，郑文荣，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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