【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件结构，尤其是一种发光二极管的出光结构。 本专利技术还涉及一种发光二极管的出光结构的制作方法。技术背景现有的发光二极管在P型半导体结构上面有一层粗化层，该粗化层的 表面会有许多凹陷，正因为这些凹陷的表面，会使得发光二极管产生的光 线在从器件表面射出的时候，避免因为发生全反射而造成发光功率的损失， 而降低器件的出光效率。现有的发光二极管这种含有许多凹陷的粗化层的 制作方法通常是在生长好P型半导体结构之后，再用相对较低的温度继续 生长一层P型半导体粗化层，由于温度较低，因此会使得晶体结晶速度加 快而造成分布不均匀，从而得到具有许多凹陷的表面。这种发光二极管的器件结构可参见图1所示，其中从下到上包括多量子阱层6、 P型AlGaN层 7、 P型GaN层8和粗化层10，所述粗化层10上会有许多凹陷13。这些凹 陷都是一些V形凹陷，这些V形凹陷很容易发生尖端放电的现象。另外， 由于粗化层是以较低的温度生长，因此会降低先前制作的半导体结构的晶 体质量。这些问题还都可能导致发光二极管器件抗静电能力的下降。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是...
【技术保护点】
一种发光二极管的出光结构，其特征在于，在Ｐ型半导体层上面有成核层，所述成核层上表面有许多向上的小突起，所述成核层上面有粗化层，所述粗化层上表面有与所述成核层上表面的小突起相对应的向上的小突起，所述粗化层上有一层随粗化层表面的小突起起伏的接触层，所述Ｐ型电极设置在所述接触层上。
【技术特征摘要】
1. 一种发光二极管的出光结构，其特征在于，在P型半导体层上面有成核层，所述成核层上表面有许多向上的小突起，所述成核层上面有粗化层，所述粗化层上表面有与所述成核层上表面的小突起相对应的向上的小突起，所述粗化层上有一层随粗化层表面的小突起起伏的接触层，所述P型电极设置在所述接触层上。2. 根据权利要求1所述的发光二极管的出光结构，其特征在于，所述 P型半导体层包括位于下层的P型AlGaN层和位于上层的P型GaN层。3. 根据权利要求1所述的发光二极管的出光结构，其特征在于，所述 成核层的材料为GaN、 SiN、 AlN或MgN中的一种。4. 一种如权利要求1所述的发光二极管的出光结构的制作方法，其特 征在于，在生长P型半导体层之后，包括如下步骤(1) 生长成核层；(2) 生长表面突起的粗化层；(3) 制作接触层和P型电极。5. 根据权利要求4所述的发光二极管的出光结构的制作方法，其特征 在于，所述步骤(1)中，所述成核层的生长方法是，通入Ga元素，形成 由GaN构成的成核层。6. 根据权利要求5所述的发光二极管的出光结构的制作方法，其特征 在于，所述GaN的成核层生长时的温度为500。C 80(TC，反应压力为 100torr 500torr，反应时通入NH3和H2混合气体，NH3流量为5L 40L， H2流量为5L 40L，并且还通入SiH4，形成GaN的成核层。7. 根据权利要求4所述的发光二极管的出光结构的制作方法，其特征 在于，所述步骤(1)中，所述成核层的生长方法是，通入Si元素，形成 由SiN构成的成核层。8. 根据权利要求7所述的发光二极管的出光结构的制作方法，其特征 在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林振贤，郑文荣，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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