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本发明公开了一种发光二极管的出光结构，在Ｐ型半导体层上面有成核层，所述成核层上表面有许多向上的小突起，所述成核层上面有粗化层，所述粗化层上表面有与所述成核层上表面的小突起相对应的向上的小突起，所述粗化层上有一层随粗化层表面的小突起起伏的接触...
该专利属于上海蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司授权不得商用。

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