电致发光装置及其制造方法制造方法及图纸

一种电致发光装置，包括导电基板、反射层、图案化透明导电层、至少一个发光二极管元件、第一接触电极以及第二接触电极。其中，反射层设置于导电基板之上；图案化透明导电层设置于反射层上；发光二极管元件设置于图案化透明导电层上，发光二极管依次包括第一半导体层、发光层及第二半导体层，第二半导体层位于图案化透明导电层及反射层上；第一接触电极设置于该第一半导体层的一侧；第二接触电极设置于该导电基板的一侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是一种具有高效能的 电致发光装置其及制造方法。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode， LED )是一种冷光发光元件，其利用 半导体材料中电子空穴结合所释放出的能量，以光的形式释出。依据使用材 料的不同，其可发出不同波长的单色光，而主要可区分为可见光发光二极管 与不可见光(红外线)发光二极管两种，由于发光二极管与传统灯泡发光的 形式相比，具有省电、耐震及闪烁速度快等优点，因此成为日常生活中不可 或缺的重要元件。请参照图1所示，现有技术的一种发光二极管装置1包括至少一个发光 二极管元件10粘贴于透明基板11上 其中，发光二极管元件10包括第一 半导体层101、发光层102及第二半导体层103，第一半导体层101、发光层 102及第二半导体层103依次设置，第一接触电极104连结于第一半导体层 101,第二接触电极105连结于第二半导体层103,以第一半导体层101为n 型半导体层，而第二半导体层103为p型半导体层为例说明，当分别对该等 半导体层101、 103施以电压而产生电流时，利用n型半导体层与p型半导 体层中的电子空穴相结合，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电致发光装置的制造方法，包括下列步骤：提供板体；形成至少一个发光二极管元件于该板体上，该发光二极管元件依次包括第一半导体层、发光层及第二半导体层，该第一半导体层形成于该板体上；形成图案化透明导电层于该发光二极管元 件上；形成反射层于该图案化透明导电层上；粘贴导电基板于该反射层之上；移除该板体；以及分别形成第一接触电极及第二接触电极于该第一半导体层及该导电基板的一侧。

【技术特征摘要】
1. 一种电致发光装置的制造方法，包括下列步骤提供板体；形成至少一个发光二极管元件于该板体上，该发光二极管元件依次包括第一半导体层、发光层及第二半导体层，该第一半导体层形成于该板体上；形成图案化透明导电层于该发光二极管元件上；形成反射层于该图案化透明导电层上；粘贴导电基板于该反射层之上；移除该板体；以及分别形成第一接触电极及第二接触电极于该第一半导体层及该导电基板的一侧。2、 如权利要求1所述的制造方法，其中该第一半导体层之侧于不具有 该第 一接触电极的位置形成粗糙结构或抗反射层。3、 如权利要求1所述的制造方法，其中该导电基板通过粘贴层粘贴于 该反射层之上，该反射层为欧姆接触金属层，且该反射层的材料选自钼、金、 银、把、镍、鉑、钛及其组合所构成的组。4、 如权利要求3所述的制造方法，其中该粘贴层的材料为银膏、锡膏、 锡银膏，或其他可导电的含铅与不含铅的粘贴材料。5、 如权利要求1所述的制造方法，其中该导电基板的材料包括半导体 或金属，该半导体为硅、砷化镓、磷化镓、碳化硅、氮化硼或其组合，而该 金属为铝、铜或其组合。6、 如权利要求1所述的制造方法，其中该图案化透明导电层包括多个 独立或连续的岛状图案，且该岛状图案的剖面为矩形、圓形、多边形或不规 则形。7、 一种电致发光装置，包括 导电基板；反射层，设置于该导电基板之上； 图案化透明导电层，设置于该反射层上至少一个发光二极管元件，设置于该图案化透明导电层上，该发光二极 管元件依次包括第一半导体层、发光层及第二半导体层，该第二半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖学国，陈世鹏，薛清全，程传嘉，陈煌坤，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]