【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管、具有该发光二极管的封装结构及该发光二 极管的制造方法，尤其涉及一种采用环形阴极的发光二极管，具有该发光二 极管的封装结构及该发光二极管的制造方法。
技术介绍
发光；极管(LED)是用半导体材料制作的正向偏置的PN结二极管。 其发光机理是当在PN结两端注入正向电流时，注入的非平衡载流子(电子 -空穴对)在扩散过程中复合发光，这种发射过程主要对应光的自发发射过 程。制作半导体发光二极管的材料是重掺杂的，热平衡状态下的N区有很多 迁移率很高的电子，P区有较多的迁移率较低的空穴。由于PN结阻挡层的 限制，在常态下，二者不能发生自然复合。而当给PN结加以正向电压时， 沟道区导带中的电子则可逃过PN结的势垒进入到P区一侧。于是在PN结 附近稍偏于P区一边的地方，处于高能态的电子与空穴相遇时，便产生发光 复合。这种发光复合所发出的光属于自发辐射。一般而言，传统的发光二极管(LED)的制造方法是在衬底上外延生长 包括n型半导体材料层、发光层和p型半导体材料层的层叠结构。随着发光 二极管发射的光的波长不同，发光二极管所采用的材料和结构也不同。例如， ...
【技术保护点】
一种发光二极管，包括：衬底；形成于衬底的正面上的ｎ型半导体材料层；形成于ｎ型半导体材料层上的发光层；形成于发光层上的ｐ型半导体材料层；形成于ｐ型半导体材料层上的阳极；以及沿ｎ型半导体材料层边缘形成并与ｎ型半导体材料层电接触的阴极。
【技术特征摘要】
1、一种发光二极管，包括衬底；形成于衬底的正面上的n型半导体材料层；形成于n型半导体材料层上的发光层；形成于发光层上的p型半导体材料层；形成于p型半导体材料层上的阳极；以及沿n型半导体材料层边缘形成并与n型半导体材料层电接触的阴极。2、 根据权利要求1所述的发光二极管，还包括形成于p型半导体材料 层上的保护层，所述阳极穿透所述保护层与p型半导体层材料层接触。3、 根据权利要求1所述的发光二极管，还包括形成于p型半导体材料 层和阳极之间覆盖P型半导体材料层的透明电极层，保护层覆盖透明电极 层。4、 根据权利要求3所述的发光二极管，其中透明电极层的厚度为发光 二极管发射的光的波长的四分之一。5、 根据权利要求3或4所述的发光二极管，其中透明电极层的材料选 自ITO、 Ru02、 Ni02、 ZnO或其组合。6、 根据权利要求1所述的发光二极管，其中阴极横截面的形状为圓环、 椭圓环、多边形环或由直线和曲线组合成的封闭形环。7、 根据权利要求1所述的发光二极管，其中阴极由不吸收光的反射性 金属或金属氧化物制成。8、 根据权利要求1、 2、 3、 4、 6或7所述的发光二极管，其中阴极的 材料选自Cr、 Al、 Ag、 Au、 Ti、 ITO、 ZnO、 Ru02或其组合。9、 根据权利要求1所述的发光二极管，其中阴极形成于n型半导体材 料层的周边部分上。10、 根据权利要求9所述的发光二极管，其中阴极形成于其上的n型半 导体材料层的周边部分的厚度小于n型半导体材料层的其他部分的厚度。11、 根据权利要求l所述的发光二极管，其中阴极形成于衬底上且接触 n型半导体层的側面。12、 根据权利要求l、 2、 3、 9、 10或11所述的发光二极管，其中阴极和阳极的厚度为2孩t米以上。13、 根据权利要求l、 2、 3、 9、 10或11所述的发光二极管，其中在n 型半导体层和阴极之间以及在p型半导体层和阳极之间形成有欧姆接触层。14、 根据权利要求l所述的发光二极管，其中衬底的材料选自硅、蓝宝 石、SiC、 ZnO、 GaN。15、 根据权利要求1所述的发光二极管，其中该发光二极管为高亮度发 光二极管。16、 一种发光二极管封装结构，包括 发光二极管，包括衬底；形成于衬底的正面上的n型半导体材料层； 形成于n型半导体材料层上的发光层； 形成于发光层上的p型半导体材料层； 形成于p型半导体材料层上的阳极；以及沿n型半导体材料层边缘形成并与n型半导体材料层电接触的阴极；形成于阳极上的焊线；以及形成于衬底的背面上的背镀金属层或导电胶，所述背镀金属层或导电胶 接触n型半导体层和阴极，其中坪线和背镀金属层和导电胶分别电连接至导电支架，导电支架用于 与外部电路连接。17、 根据权利要求16所述的发光二极管封装结构，还包括形成于p型 半导体材料层上的保护层...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊邦弘，翁新川，叶国光，
申请(专利权)人：鹤山丽得电子实业有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]
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