发光二极管结构与其制造方法技术

一种可提升发光二极管（ＬＥＤ）晶粒辨识率的发光二极管结构与其制造方法。其在Ｎ型电极垫下方，保留一部分外延结构，使得Ｎ型电极垫与Ｐ型电极垫下方的表面的粗化程度相近，致使Ｎ型电极垫与Ｐ型电极垫两者所呈现出来的光泽相似，进而解决打线机台因电极色泽不同所造成的辨识不良问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管(LED)结构与其制造方法，且特别涉及一种可 提升发光二极管晶粒辨识率的发光二极管(LED)的制造方法。
技术介绍
请参照图l，其绘示现有的发光二极管结构的剖面示意图，其中基板100 上依序形成有缓冲层110、 N型局限层120。 N型局限层120的一部分上依序 形成有有源层130、 P型局限层140、透明电极150以及P型电极垫160，而N 型局限层120的另一部分上则形成有N型电极垫170， N型电极垫170与由有 源层130、 P型局限层140、透明电极150所组成的发光外延结构180间相距 有一预设间隙d。在完成发光二极管结构后，接着便需进行后续的固晶及打线工艺。固晶工 艺或打线工艺主要使用图像比对辨识的方法，来选取符合预设参考图像的LED 晶粒。此时，在现有的发光二极管结构中，由于蚀刻工艺的缘故，P型电极垫 160下方的外延层(P型局限层140和透明电极150)的表面粗糙度，与N型 电极垫170下方的外延层(N型局限层120)的表面粗糙度相当不同，造成P 型电极垫160与N型电极垫170的光散射与反射的强度不一致，因而降低图 像比对辨识率，而导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管结构，至少包括：一基板；一第一电性局限层，位于该基板上；一发光外延结构，位于该第一电性局限层的一第一部分上，其中该发光外延结构至少包括：一有源层，位于该第一部分上；以及一第二电性局限层， 位于该有源层上，其中该第一电性局限层与该第二电性局限层具有相反的电性；一突起结构，位于该第一电性局限层的一第二部分上，其中该突起结构与该发光外延结构间相距有一预设间隙，该预设间隙并暴露出该第一电性局限层，该突起结构的组成材料层的种类 与次序等同于该发光外延结构的组成材料层的种类与次序，且该突起结构的组成材...

【技术特征摘要】
1. 一种发光二极管结构，至少包括一基板；一第一电性局限层，位于该基板上；一发光外延结构，位于该第一电性局限层的一第一部分上，其中该发光外延结构至少包括一有源层，位于该第一部分上；以及一第二电性局限层，位于该有源层上，其中该第一电性局限层与该第二电性局限层具有相反的电性；一突起结构，位于该第一电性局限层的一第二部分上，其中该突起结构与该发光外延结构间相距有一预设间隙，该预设间隙并暴露出该第一电性局限层，该突起结构的组成材料层的种类与次序等同于该发光外延结构的组成材料层的种类与次序，且该突起结构的组成材料层的厚度等于或小于该发光外延结构的组成材料层的厚度；一N型电极垫，包覆住该突起结构，其中该N型电极垫与该第一型局限层相连接；以及一P型电极垫，位于该第二电性局限层上。2、 根据权利要求1所述的发光二极管结构，还至少包括 一缓冲层，位于该基板与该第一电性局限层之间。3、 根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中该基板的材料选自于由 蓝宝石、氧化锌、氧化锂镓、氧化锂铝、尖晶石、碳化硅、氮化镓以及硅基材 所组成的一族群。4、 根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一电性局限层的电 性为N型，且该第二电性局限层的电性为P型。5、 根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中该该突起结构由多个突 起结构单元所组成。6、 根据权利要求1所述的发光二极管结构，还至少包括 一透明电极层，位于该发光外延结构的一顶表面上，其中该P型电极垫位于该透明电极层上。7、 根据权利要求1所述的发光二极管结构，还至少包括 一透明电极层，位于该突起结构的一顶表面上，其中该N型电极垫包覆住该突起结构和...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭政达，余国辉，陈昭兴，柯淙凯，黄祈铭，叶世伟，钟健凯，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]