具有改进的浪涌能力的肖特基二极管制造技术

一种ＳｉＣ肖特基二极管晶片或Ｓｉ肖特基二极管晶片，被安装成其外延阳极表面连接到器件封装中的最佳散热器表面，从而大幅度地改进了器件的浪涌电流能力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件，更为具体地涉及一种改进肖特基二极管的浪 涌能力的结构。
技术介绍
碳化硅(SiC)肖特基二极管是公知的，并且与其硅(Si )对应物相 比，碳化硅(SiC)肖特基二极管具有减小的开关损耗、增加的击穿电压 以及减小的体积和重量。因此，在诸如转换器/逆变器、马达驱动器等等 的许多应用中，这类器件正在取代Si肖特基器件。然而，例如，高压SiC肖特l^i极管，比如额定600伏的SiC肖特基 二极管，比等效的Si器件的浪涌能力低。这样，在诸如AC/DC功率因子 校正电路等浪涌耐受性是重要的应用中，常规SiC肖特基二极管的浪涌能 力是等效的Si肖特基二极管的浪涌能力的四分之一。
技术实现思路
按照本专利技术，SiC肖特基晶片或者甚至是硅(Si)肖特基晶片安^4 封装中，该封装被设置成更有效地从其外延阳极侧排除热量，该外延阳极 侧是所述晶片的最热侧，从而减小自热效应，我们已认识到该自热，， 效应是SiC肖特基二极管和等效的Si肖特基晶片浪涌能力下降的根源。这通过将晶片安装成使其阳极侧良好地耦合到传导性散热器表面来 实现。因此，SiC晶片或Si晶片可以从其通常方位反转，且围绕有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基二极管，包括具有主体区域和在主体区域顶部上的外延形成区域的半导体晶圆；在所述外延形成区域顶部上的阳极触点和在所述主体区域的底部表面上的阴极电极；用于所述晶圆的外壳；所述外壳包括具有表面的主散热器；所述阳极触点被热连接并固定到所述主散热器表面，用于从所述晶圆的所述阳极侧的最大散热，从而显著地改进所述二极管的浪涌能力。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-7-5 60/696,6341.一种肖特基二极管，包括具有主体区域和在主体区域顶部上的外延形成区域的半导体晶圆；在所述外延形成区域顶部上的阳极触点和在所述主体区域的底部表面上的阴极电极；用于所述晶圆的外壳；所述外壳包括具有表面的主散热器；所述阳极触点被热连接并固定到所述主散热器表面，用于从所述晶圆的所述阳极侧的最大散热，从而显著地改进所述二极管的浪涌能力。2. 如权利要求1所述的肖特基二极管，其中至少所述主体区域由硅 或碳化硅中之一构成。3. 如权利要求2所述的二极管，其中所述阳极触点为可焊接材料。4. 如权利要求2所述的二极管，其还包括在所述外延形成区域的所 述顶部中以及围绕所述阳极触点的扩散护圏；以及设置在所述护團和所述 主散热器表面之间的绝缘圏。5. 如权利要求3所述的二极管，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗萨诺卡尔塔，路易吉梅林，迭戈拉福，
申请(专利权)人：国际整流器公司，
类型：发明
国别省市：US[]