半导体光电组件及其切割方法技术

一种半导体光电组件的切割方法，其是包括以下的步骤：准备半导体光电组件芯片：该半导体光电组件芯片是包含有一基板，于基板表面形成有一外延硅层；镭射划线：以镭射于半导体光电组件芯片表面划设导引沟槽；钻石刀切割：以钻石刀于沟槽中进行切割；形成半导体光电组件晶粒：将半导体光电组件芯片沿已划设的沟槽劈裂，形成半导体光电组件晶粒。本发明专利技术的半导体光电组件是具有一基板与一外延硅层，外延硅层是形成于基板的一表面，基板的侧面设有粗糙表面，该粗糙表面是为于半导体光电组件芯片表面进行镭射划线而产生导引沟槽，再于导引沟槽内进行钻石刀切割所形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，尤指一种合并电射 切割与钻石刀切割的半导体光电组件的切割方法，其可以去除半导体光电组 件晶粒上的焦黑区域并减少钻石刀的损耗。
技术介绍
由于红蓝绿是全彩的三原色，高亮度的蓝光发光二极管(LED)对于伞 彩色显示器的应用日益受到重视，而光信息存取技术也将采用具有短波长的 蓝光发光二极管作为光源。此外，由蓝光发光二极管衍生的白光发光二极管 也被认为是下 一世代的照明技术。一般传统的发光二极管的切割方式有钻石刀切割与镭射切割这两种方 式。请参照图5所示，钻石刀切割是于发光二极管芯片的基板背面以钻石刀切 割出一道深度数微米(um)的沟槽(80)，又称为划线(scribe)程序，l勺 于发光二极管芯片正面对准划线处以刀片劈裂(break)，形成发光二极管品 粒。由于白光和蓝光发光二极管大多使用质地非常坚硬的蓝宝石基板(s叩ptnrc substrate)，因此若于白光和蓝光发光二极管采用钻石刀切割方法，将导致钻 石刀刀锋磨耗严重，进而增加了发光二极管的制造成本。此外，由于钻石刀 是以点接触的方式切割，因此沟槽两侧常形成侧向与径向的裂痕，在劈裂时 芯片往往无法完全依照预本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光电组件的切割方法，其是包括以下的步骤：准备半导体光电组件芯片：该半导体光电组件芯片是包含有一基板，于基板的一表面形成有一外延硅层；镭射划线：以镭射于半导体光电组件芯片表面划设导引沟槽；钻石刀切割：以钻石刀 于沟槽中进行切割；形成半导体光电组件晶粒：将半导体光电组件芯片沿已划设的沟槽分离，形成半导体光电组件晶粒。

【技术特征摘要】
1. 一种半导体光电组件的切割方法，其是包括以下的步骤准备半导体光电组件芯片该半导体光电组件芯片是包含有一基板，于基板的一表面形成有一外延硅层；镭射划线以镭射于半导体光电组件芯片表面划设导引沟槽；钻石刀切割以钻石刀于沟槽中进行切割；形成半导体光电组件晶粒将半导体光电组件芯片沿已划设的沟槽分离，形成半导体光电组件晶粒。2. 如权利要求l所述的切割方法，其特征在于镭射划线步骤是于半 导体光电组件芯片的基板其未形成有外延硅层的表面划设导引沟槽。3. 如权利要求l所述的切割方法，其特征在于镭射划线步骤前，足 先去除半导体光电组件芯片欲划设沟槽区域的外延硅层，再以镭射于基板己 去除外延硅层的表面划设导引沟槽。4. 如权利要求l至3任一项所述的切割方法，其特征在于外延硅U 材料是为III-V族的半导体材料。5. —种半导体光...

【专利技术属性】
技术研发人员：程志青，蔡棋，
申请(专利权)人：广镓光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]