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发光二极管、具有其的封装结构及其制造方法技术
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文档序号:3174612
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本发明提供了一种发光二极管。该发光二极管包括:衬底;形成于衬底的正面上的n型半导体材料层;形成于n型半导体材料层上的发光层;形成于发光层上的p型半导体材料层;保护层,覆盖p型半导体材料层;穿透保护层形成于p型半导体材料层上的阳极;以及围绕n...
该专利属于鹤山丽得电子实业有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过鹤山丽得电子实业有限公司授权不得商用。
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