【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种发光二极管(LED)及其制造方法，且特别是有关一种高效率 。
技术介绍
在发光二极管的制作上，III-V族半导体化合物，例如氮化镓(GaN)、氮化铝 镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)、以及氮化铝铟镓(AlInGaN)等材料，是相当常见的 材料。此类由ni-V族半导体化合物所构成的发光磊晶结构大多成长于不导电的蓝 宝石基板上，而与其他发光元件采用的可导电基板不同。由于，蓝宝石基板为绝缘体，不能直接将电极制作于此蓝宝石基板上。因此，制作m-V族半导体化合物所构成的发光二极管的电极时，必须使电极直接与P型半导体层与N型半导体层 各别接触，才能完成此类发光元件的制作。一般传统的发光二极管结构采用N型砷化镓(GaAs)作为原生基板(Growth Substrate)材料。由于N型砷化镓所构成的原生基板会吸收光，因此在发光二极 管的主动层所产生的光子中，朝向原生基板方向的光子大部分将为原生基板所吸 收，而严重影响发光二极管元件的发光效率。为避免发光二极管的基板吸光问题，比利时Gent大学I. Pollentirer等人 于1990年在Electro...
【技术保护点】
一种发光二极管，至少包括：一导电基板，具有相对的一第一表面以及一第二表面；一金属接合层，设于该导电基板的该第一表面上；一金属反射层，接合在该金属接合层上；一Ｎ型半导体层，设于该金属反射层之上；一主动层 ，设于该Ｎ型半导体层上；一Ｐ型半导体层，设于该主动层上；一窗户层，设于该Ｐ型半导体层上，其中该窗户层的一厚度为５０μｍ以上，且该窗户层是由一透明导电材料所组成；以及一Ｐ型电极，设于该窗户层上。
【技术特征摘要】
1. 一种发光二极管，至少包括一导电基板，具有相对的一第一表面以及一第二表面；一金属接合层，设于该导电基板的该第一表面上；一金属反射层，接合在该金属接合层上；一N型半导体层，设于该金属反射层之上；一主动层，设于该N型半导体层上；一P型半导体层，设于该主动层上；一窗户层，设于该P型半导体层上，其中该窗户层的一厚度为50μm以上，且该窗户层是由一透明导电材料所组成；以及一P型电极，设于该窗户层上。2. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该导电基板的材料为硅、 锗、碳化硅或氮化铝。3. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该金属接合层的材料为 铅锡合金、金锗合金、金铍合金、金锡合金、锡、铟或钯铟合金。4. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该金属反射层的材料为 金、铝、银、铬或镍。5. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该N型半导体层的材料 为N型磷化铝镓铟[(AlxGa,—丄.5lno.5P]，该主动层是一多重量子井结构，且该P 型半导体层的材料为P型磷化铝镓铟[(AxGakD。.5P]。6. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该窗户层的材料为磷化 镓、磷化镓砷、或砷化铝镓。7. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该窗户层的厚度介于50 ti m至200u m之间。8. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于还至少包括 一第一欧姆接触层，接合在该导电基板的该第一表面上，且介于该导电基板与该金属接合层之间；以及一第二欧姆接触层，接合在该导电基板的该第二表面上。9. 如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于该第一欧姆接触层与该 第二欧姆接触层的材料为钛、镍、金、或钨。10. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于还至少包括一扩散阻障 层，介于该金属接合层与该金属反射层之间。11. 如权利要求10所述的发光二极管，其特征在于该扩散阻障层的材料为钼、铂、钨、氧化铟锡、氧化锌或锰。12. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于还至少包括一透明导电层，接合在该金属反射层的表面上。13. 如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于该透明导电层的材料 为氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化铜铝、氧化铜镓、 或氧化锶镓。14. 如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于还至少包括一N型接触层，位于部分的该N型半导体层上；以及一金属材料层，设于该N型接触层上，其中该N型接触层与该金属材料 层夹设在该N型半导层与该透明导电层之间，且嵌设于该透明导电层中。15. 如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于该N型接触层的材料 为N型砷化镓、N型磷化镓砷或N型磷化铝镓铟。16. —种发光二极管的制造方法，至少包括 提供一原生基板；形成一 N型半导体层于该原生基板上； 形成一主...
【专利技术属性】
技术研发人员：许世昌，洪详竣，魏世祯，苏住裕，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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