芯片封装结构及其制造方法技术

一种芯片封装结构，其包括一金属层、一薄膜线路层、一芯片、一引脚阵列与一胶体。配置于金属层上的薄膜线路层包括一配置于金属层上的绝缘薄膜与一配置于绝缘薄膜上的线路层。线路层具有多条导电迹线。芯片配置于金属层的上方，且芯片与这些导电迹线电性连接。引脚阵列配置于芯片的外侧，引脚阵列具有多个引脚，且至少部分这些引脚与这些导电迹线电性连接。胶体至少包覆芯片、薄膜线路层、至少部分这些引脚与至少部分金属层。因此，相同的引脚阵列可搭配不同种类或不同尺寸的芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，尤其涉及一种芯片封装结构 及其制造方法。
技术介绍
在半导体产业中，集成电路(integrated circuits, IC)的生产主要可分为 三个阶段集成电路的设计(IC design)、集成电路的制作(IC process)及 集成电路的封装(IC package)。在集成电路的制作中，芯片(chip)是经由晶圆(wafer)制作、形成集 成电路以及切割晶圆(wafer sawing)等步骤而完成。晶圆具有一主动面(active surface)，其泛指晶圆的具有主动元件(active element)的表面。当晶圆内 部的集成电路完成之后，晶圆的主动面还配置有多个焊垫(bondingpad), 以使最终由晶圆切割所形成的芯片可经由这些焊垫而向外电性连接于一承载 器(carrier)。承载器例如为一导线架(leadframe)或一封装基板(package substrate)。芯片可以打线接合(wire bonding)或覆晶接合(flip chip bonding) 的方式连接至承载器上，使得芯片的这些焊垫可电性连接于承载器的接点， 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装结构，其特征在于包括：一金属层；一薄膜线路层，配置于所述金属层上，所述薄膜线路层包括：一绝缘薄膜，配置于所述金属层上；以及一线路层，配置于所述绝缘薄膜上，其中所述线路层具有多条导电迹线；一芯片，配置于所述金属层的上方，其中所述芯片与所述导电迹线电性连接；一引脚阵列，配置于所述芯片的外侧，而所述引脚阵列具有多个的引脚，且至少部分所述引脚与所述导电迹线电性连接；以及一胶体，至少包覆所述芯片、所述薄膜线路层、至少部分所述引脚与至少部分所述金属层。

【技术特征摘要】
1. 一种芯片封装结构，其特征在于包括一金属层；一薄膜线路层，配置于所述金属层上，所述薄膜线路层包括一绝缘薄膜，配置于所述金属层上；以及一线路层，配置于所述绝缘薄膜上，其中所述线路层具有多条导电迹线；一芯片，配置于所述金属层的上方，其中所述芯片与所述导电迹线电性连接；一引脚阵列，配置于所述芯片的外侧，而所述引脚阵列具有多个的引脚，且至少部分所述引脚与所述导电迹线电性连接；以及一胶体，至少包覆所述芯片、所述薄膜线路层、至少部分所述引脚与至少部分所述金属层。2. 如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于还包括多条第一焊线， 其电性连接所述芯片与所述导电迹线。3. 如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于还包括多个凸块，其 电性连接所述芯片与所述导电迹线。4. 如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于还包括 一绝缘粘着胶，配置于所述引脚与所述金属层之间；以及 至少一第二焊线，电性连接所述导电迹线之一与所述引脚之一。5. 如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于还包括一导电层，配 置于所述引脚的一端与所述薄膜线路层之间，且至少部分所述引脚经由所述 导电层与所述导电迹线电性连接。6. 如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片配置于所 述绝缘薄膜上。7. 如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述线路层还具有 一散热材，且所述芯片配置于所述散热材上。8. 如权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述薄膜线路层还 包括至少一导热孔道，贯穿所述绝缘薄膜，且所述导热孔道连接所述散热材 与所述金属层。9. 如权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述散热材为散热 金属或者是散热胶。10. 如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电迹线由所 述芯片的邻近区域朝向远离芯片的方向放射延伸。11. 一种芯片封装结构的制造方法，其特征在于包括-提供一金属层与一薄膜线路层，其中所述薄膜线路层配置于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘玉堂，刘孟学，周世文，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]