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本发明公开了一种发光二极管的结构，其中包括Ｎ型ＧａＮ层、多量子阱层、Ｐ型ＡｌＧａＮ层，所述Ｎ型ＧａＮ与所述多量子阱层之间还间隔有多量子阱缓冲层，所述多量子阱缓冲层包含有一个或多个ＩｎＧａＮ／ＧａＮ的复合结构。本发明还公开了一种上述发光二极管...
该专利属于上海蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司授权不得商用。

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