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本发明提供一种电容器装置及其制造方法，其形成具Ｔ字型的电容器装置，以有效的利用扩散阻挡层与下电极层将具高介电常数的介电层与插塞隔离，以避免具有高介电常数的介电层所含的含氧组成物扩散进入插塞中，导致氧化情况的产生，从而提升高介电常数的介电层在...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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