【技术实现步骤摘要】
本专利技术系有关于半导体制造，并且特别有关于一种具有金属-半导体及源极/漏极接触的互补型金属氧化物半导体导体(complimentary metal oxidesemiconductor；CMOS)装置的制造方法。
技术介绍
现今装置所普遍使用的电性接触(contact)是金属-半导体接触。根据材料而定，接触可能为欧姆型(ohmic)或整流型(rectifying)。欧姆型接触不论所流通的电流方向为何，皆具有低电阻。整流型接触，其行为与二极管相同，这是由于其在某一方向能够让电流自由流通，然而却在另一方向具有会阻挡电流的势垒。这个势垒，即所谓的肖特基(Schottky)势垒，是电子从金属穿越至半导体所需要的电势能，并且是决定金属-半导体接触电性的一项重要参数。近来，先进半导体装置使用金属-半导体接触，即肖特基接触，来作为CMOS的源极和/或漏极。这种具有肖特基源极/漏极的CMOS，对于45纳米以下的装置微缩目标拥有众多利益。此源极/漏极的金属/硅化物具有低电阻值，并且在原子尺寸级上不连续。这使得其相对于传统杂质掺杂的源极/漏极技术而言，能够具有较高的装置速率以及...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：衬底，具有第一区域及第二区域，该第一区域具有利用一组密勒指数｛ｉ，ｊ，ｋ｝来表示的第一晶向，该第二区域系具有利用一组密勒指数｛ｌ，ｍ，ｎ｝来表示的第二晶向，其中ｌ↑［２］＋ｍ↑［２］＋ｎ↑［２］＞ｉ↑［２］＋ｊ↑［２］＋ｋ↑［２］；ＮＭＯＳ场效应晶体管形成于该第一区域上，以及一第二ＰＭＯＳ场效应晶体管形成于该第二区域上；以及似肖特基接触与该衬底一同形成。
【技术特征摘要】
US 2005-9-6 11/220,1761.一种半导体装置，包括衬底，具有第一区域及第二区域，该第一区域具有利用一组密勒指数{i，j，k}来表示的第一晶向，该第二区域系具有利用一组密勒指数{l，m，n}来表示的第二晶向，其中l2+m2+n2＞i2+j2+k2；NMOS场效应晶体管形成于该第一区域上，以及一第二PMOS场效应晶体管形成于该第二区域上；以及似肖特基接触与该衬底一同形成。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一晶向包含由{100}及{110}组成的晶向。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中l2+m2+n2≥2。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该似肖特基接触包括MOS场效应晶体管源极/漏极。5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该似肖特基接触包括材料，其选自退火金属、退火金属硅化物、N型掺质、P型掺质，以及以上材料的组合。6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该似肖特基接触包括材料，其选自Mo、Ru、Ti、Ta、W、Hf、Er、Co、Ni、Pt、以上材料的硅化物，以及以上材料的组合。7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该似肖特基接触的厚度小于500埃。8.如权利要求1所述的半导体装置，其中该衬底包括掩埋介电质层，其中该掩埋介电质层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：葛崇祜，柯志欣，陈宏玮，李文钦，季明华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。