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本发明提供一半导体装置，包括衬底，该衬底具有第一区域及第二区域，该第一区域具有利用一组利用密勒指数｛ｉ，ｊ，ｋ｝来表示的第一晶向，该第二区域系具有利用一组密勒指数｛ｌ，ｍ，ｎ｝来表示的第二晶向，其中ｌ↑［２］＋ｍ↑［２］＋ｎ↑［２］＞ｉ↑［...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供一半导体装置，包括衬底，该衬底具有第一区域及第二区域，该第一区域具有利用一组利用密勒指数｛ｉ，ｊ，ｋ｝来表示的第一晶向，该第二区域系具有利用一组密勒指数｛ｌ，ｍ，ｎ｝来表示的第二晶向，其中ｌ↑［２］＋ｍ↑［２］＋ｎ↑［２］＞ｉ↑［...