基于纳米管的非易失性存储器件制造技术

本发明专利技术提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上，彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。因此，该存储器件是可擦除非易失性存储器件，其能在即使没有电源供应时保持信息，并确保高操作速度和高集成密度。另外，由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息，所以该存储器件能应用于很多领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基于纳米管的非易失性存储器件，更特别地，涉及利用纳米管的双稳态开关结构的非易失性存储器件。
技术介绍
常规存储器件的例子包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、静态随机存取存储器(SRAM)、及磁随机存取存储器(MRAM)。这些半导体存储器件通常分为易失性存储器件和非易失性存储器件，它们具有各自的优点和缺点。因此，半导体存储器件应用的优选领域是不同的。为了克服常规半导体存储器件的缺点并开发新的应用领域，需要开发新的存储器件。一般知晓，非易失性存储器件比易失性存储器件操作慢。目前，正在进行对这样的存储器件的研究，其能结合易失性存储器件和非易失性存储器件的优点并能比常规存储器件应用到更宽范围。例如，基于纳米管的存储器件正被广泛研究并公开报导。Segal Brent M.等人已经提出一种使用碳纳米管(CNT)带(ribbon)的非易失性存储器件。然而，Segal Brent M.等人提出的非易失性存储器一次写入多次读取(write-once read-many，WORM)存储器件，其不适于动态存储器件(见引用文献2)。另外，Lee，Jaeeun等人已经提出一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性纳米管存储器件，包括：　　　　衬底；　　　　至少第一和第二电极，设置在该衬底上且彼此间隔开预定距离；　　　　导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且根据施加到该导电纳米管的静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及　　　　支承物，支承该导电纳米管。

【技术特征摘要】
KR 2005-11-10 107646/051.一种非易失性纳米管存储器件，包括衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上且彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且根据施加到该导电纳米管的静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。2.如权利要求1所述的非易失性纳米管存储器件，其中该导电纳米管是悬臂，一端固定到该支承物。3.如权利要求1所述的非易失性纳米管存储器件，其中该导电纳米管是在两端被支承的简单支承梁。4.如权利要求1所述的非易失性纳米管存储器件，还包括第三电极，使得该第一、第二和第三电极与该纳米管相邻。5.如权利要求1所述的非易失性纳米管存储器件，其中该第一电极与该纳米管之间的间隙确定为使得当该纳米管由于该纳米管的弹性形变而接触该第一电极时，该纳米管的弹性恢复力小于该纳米管与该第一电极之间产生的范德瓦尔斯力。6.如权利要求1所述的非易失性纳米管存储器件，其中该第二电极与该纳米管之间的间隙确定为使得当该纳米管由于该纳米管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳震奎，李秀一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]