形成硅层的方法及使用该硅层的显示基板的制造方法技术

一种制造硅层的方法，其包括：使用包括四氟化硅（ＳｉＦ↓［４］）气体、三氟化氮（ＮＦ↓［３］）气体、ＳｉＦ↓［４］－Ｈ↓［２］气体及其混合物中的至少一种的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法对形成于基板上的氮化硅层的表面进行预处理。然后，使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅（ＳｉＦ↓［４］）、氢气（Ｈ↓［２］）和氩气（Ａｒ）的混合气体。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种形成硅层的方法以及使用该硅层的显示基板的制造方法。具体地说，本公开涉及一种制造硅层的方法及一种使用该硅层的显示基板的制造方法，该方法能够提高晶化率(crystalline fraction)并使硅晶体的晶粒分布均匀。
技术介绍
包括薄膜晶体管的电子显示装置和液晶显示装置的技术已得到显著提高。例如，已专利技术了可显示所有颜色的液晶显示(LCD)装置，从而LCD装置基本上与阴极射线管(CRT)显示装置具有相同的颜色再现性。大屏幕的显示基板包括使用非晶硅(a-Si:H)作为半导体层的薄膜晶体管。非晶硅(a-Si:H)相对便宜，并且可为LCD装置提供改进的电特性，从而使用非晶硅(a-Si:H)的薄膜晶体管通常作为像素充电装置用于有源矩阵LCD装置。另外，为了增加对比度、色彩的一致性、高亮度视角、和分辨率，已开发出包括有机发光二极管以及包含聚合材料的发光二极管的显示装置。因此，提高了用于有源矩阵显示装置的薄膜晶体管的半导体层的材料特性。从而，现在需要比从非晶硅(a-Si:H)得到的稳定性和充电特性更高的稳定性和更快的充电特性。微晶硅是用于形成半导体层的半导体材料。使用微晶纤维本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成硅层的方法，包括：使用包括选自四氟化硅（ＳｉＦ↓［４］）气体、三氟化氮（ＮＦ↓［３］）气体、ＳｉＦ↓［４］－Ｈ↓［２］气体及其混合物组成的组中的至少一种气体的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法预处理形成于基板上的氮化硅层的表面；以及使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的所述氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅（ＳｉＦ↓［４］）、氢气（Ｈ↓［２］）和氩气（Ａｒ）的混合气体。

【技术特征摘要】
KR 2006-2-17 10-2006-00155171.一种形成硅层的方法，包括使用包括选自四氟化硅(SiF4)气体、三氟化氮(NF3)气体、SiF4-H2气体及其混合物组成的组中的至少一种气体的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法预处理形成于基板上的氮化硅层的表面；以及使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的所述氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅(SiF4)、氢气(H2)和氩气(Ar)的混合气体。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一反应气体包括所述四氟化硅(SiF4)气体，并且在如下工艺条件下进行所述等离子预处理，其中，等离子能量、室压、电极之间的间隙、气体量、和预处理时间分别是在大约540至大约660W/cm2之间、大约1.1至大约1.3Torr之间、大约16至大约20mm之间、大约270至大约330sccm之间、和大约108至大约132秒之间。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在如下工艺条件下进行所述等离子预处理，其中，等离子能量、室压、电极之间的间隙、气体量、和预处理时间分别是大约600W/cm2、大约1.2Torr、大约18mm、大约300sccm、和大约120秒。4.根据权利要求2所述的方法，其中，在以下工艺条件下进行所述硅层的形成，其中，等离子能量、室压、电极之间的间隙、基板温度、和四氟化硅(SiF4)∶氢气(H2)∶氩气(Ar)的量之比分别是在大约190...

【专利技术属性】
技术研发人员：库纳尔吉罗特拉，金秉浚，梁成勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]