硅表面清洁溶液以及用其制造半导体器件的方法技术

提供了一种用于硅表面的清洁溶液，所述清洁溶液含有缓冲溶液，该缓冲溶液包括醋酸（ＣＨ↓［３］ＣＯＯＨ）和醋酸铵（ＣＨ↓［３］ＣＯＯＮＨ↓［４］）、碘氧化剂、氢氟酸（ＨＦ）和水。在用于制造半导体器件的方法中，硅基片可具有被暴露的硅表面，可以使用含有缓冲溶液的清洁溶液来清洁该暴露的硅表面，该缓冲溶液包括醋酸、醋酸铵、碘氧化剂、氢氟酸和水。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示例性实施例涉及清洁溶液，例如，清洁硅表面的清洁溶液；以及用其制造半导体器件的方法。
技术介绍
制造半导体器件的工艺可以包括在硅基片内形成杂质扩散层如阱和源/漏区的离子注入工艺；通过在硅基片上沉积或生长导电或绝缘薄膜形成不同形状的结构、并将导电或绝缘薄膜图案化的工艺；以及通过将叠置的导电结构相互电连接形成触点以形成电路的工艺。在各个工艺期间暴露的硅表面的状况可以影响通过后续工艺形成的薄膜的质量。暴露的硅表面可以被污染物或工艺过程期间发生的损坏劣化。也就是说，暴露的硅表面在先行的工艺过程期间或在工艺过程之间操纵硅基片时可以被各种各样的污染物，例如，原生氧化层、有机物、金属杂质及微粒等损坏。暴露的硅表面还可以在图案化薄膜的干蚀刻工艺期间或在形成阱或源/漏的离子注入工艺期间被损坏。因此，在每一道工艺前可以进行清洁工艺，以从暴露的硅表面去除污染源以及硅表面被损坏的部分。在敏感地受到硅表面状况影响的工艺前需要充分进行上述清洁工艺，例如，外延工艺，自对准硅化物工艺(salicideprocess)及自对准接触(SAC)工艺等。特别的，暴露硅表面的被损坏的部分会引起外延层或金属自对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅表面清洁溶液，包括：缓冲溶液，所述缓冲溶液包括醋酸和醋酸铵、碘氧化剂、氢氟酸和水。

【技术特征摘要】
KR 2006-1-17 10-2006-00051161.一种硅表面清洁溶液，包括缓冲溶液，所述缓冲溶液包括醋酸和醋酸铵、碘氧化剂、氢氟酸和水。2.如权利要求1所述的清洁溶液，其中，所述碘氧化剂包括碘、碘化铵及其混合物。3.如权利要求1所述的清洁溶液，其中，氢氟酸的含量为大约0.01wt％至2wt％，包括0.01和2；醋酸的含量为大约0.01wt％至30wt％，包括0.01和30；醋酸铵的含量为大约0.01wt％至30wt％，包括0.01和30；碘氧化剂的含量为大约0.01wt％至2wt％，包括0.01和2；以及，水的含量为大约90wt％或更少。4.如权利要求1所述的清洁溶液，其中，pH值为大约3.9至大约4.9。5.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括制备具有暴露的硅表面的硅基片；以及使用如权利要求1所述的清洁溶液清洁所述暴露的硅表面。6.如权利要求5所述的方法，其中，所述碘氧化剂包括碘、碘化铵及其混合物。7.如权利要求5所述的方法，其中，所述清洁溶液含有大约0.01wt％至2wt％的氢氟酸，包括0.01和2；大约0.01wt％至大约30wt％的醋酸，包括0.01和30；大约0.01wt％至大约30wt％的醋酸铵，包括0.01和30；大约0.01wt％至大约2wt％的碘氧化剂，包括0.01和2；以及，大约90wt％或更少的水。8.如权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相溶，洪昌基，沈雨宽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]