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提供了一种用于硅表面的清洁溶液，所述清洁溶液含有缓冲溶液，该缓冲溶液包括醋酸（ＣＨ↓［３］ＣＯＯＨ）和醋酸铵（ＣＨ↓［３］ＣＯＯＮＨ↓［４］）、碘氧化剂、氢氟酸（ＨＦ）和水。在用于制造半导体器件的方法中，硅基片可具有被暴露的硅表面，可以使用...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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