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一种制造硅层的方法，其包括：使用包括四氟化硅（ＳｉＦ↓［４］）气体、三氟化氮（ＮＦ↓［３］）气体、ＳｉＦ↓［４］－Ｈ↓［２］气体及其混合物中的至少一种的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法对形成于基板上的氮化硅层的表面进行预处理。然...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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