封装件及其制造方法技术

技术编号:3180581 阅读:138 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种封装件及其制造方法。封装件的制造方法包括:首先,设置芯片在衬底上,使芯片与衬底电连接。接着,形成附着力调整层在芯片上。附着力调整层与芯片之间具有第一附着力(adhesive  force)。然后,形成第一透镜层在附着力调整层上。附着力调整层与第一透镜层之间具有第二附着力。由于附着力调整层的覆盖,改变了芯片的表面态,使得第一透镜层的内聚力、表面张力与第二附着力的交互作用,有助于第一透镜层的成形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,且特别涉及一种具有透镜层的封 装件及其制造方法。
技术介绍
请参照图1A,其示出传统的封装件的示意图。封装件100包括反射杯 101、芯片103及封装胶体105。芯片103置放于反射杯101内。封装胶体 105灌入反射杯101内,以覆盖芯片103。封装胶体105依据反射杯101的形状成形。封装胶体105灌入反射杯101 后,反射杯101不会脱离封装胶体105以重复使用。因此,使得此种封装件 100的制造成本提高。请参照图1B,其绘示另一种传统的封装件的示意图。相较于图1A的封 装件100,图1B的封装件150还包括凸状胶体155。请参照图1C,其示出 模具的示意图。凸状胶体155(如图1B所示)的材料灌入模具160的至少一个 凹穴161中,并固化成为凸状胶体155。然后,如图1B所示,凸状胶体155 再利用加热的方式粘合于封装胶体105的表面157上,以形成封装件150。虽然凸状胶体155可用以改善封装件150的光学特性,然而,封装件150 的制造方法的步骤较为繁琐,其步骤包括图1A的封装件100的步骤及制造 凸状胶体155的步骤。此外,封装件150在制造时需要模具160 (如图1C所 示)做为形成凸状胶体155的模具。因此,更加提高封装件150的制造成本。
技术实现思路
本专利技术提供了一种,其利用附着力调整层调整第一 透镜层的形状,以使光线通过第一透镜层后控制形成不同的光场分布。根据本专利技术的第一方面,提出一种封装件的制造方法,此制造方法包括: 首先,第一步骤,设置芯片于衬底上,使芯片与衬底电连接。接着,第二步骤,形成附着力调整层于芯片上。附着力调整层与芯片之间具有第一附着力。 然后,第三步骤,形成第一透镜层于附着力调整层上。附着力调整层与第一 透镜层之间具有第二附着力。由于附着力调整层覆盖于芯片改变了表面态, 使得第一透镜层的材料的内聚力、表面张力与第二附着力的交互作用,有助 于第一透镜层的成形。根据本专利技术的制造方法,其中在所述第三步骤之后,所述制造方法还包 括在所述第一透镜层上形成至少一个第二透镜层。根据本专利技术的制造方法,其中在所述第二步骤中,利用旋转涂抹、刷涂、 喷涂、浸沾或点沾的方式在所述芯片上形成所述附着力调整层。根据本专利技术的制造方法,其中在所述第三步骤中,利用点沾的方式在所 述附着力调整层上形成所述第一透镜层。根据本专利技术的制造方法,其中在所述第二步骤之后且在所述第三步骤之 前,所述制造方法还包括硬化所述附着力调整层。根据本专利技术的制造方法,其中所述第一步骤还包含利用导线电连接所述 芯片与所述衬底。根据本专利技术的制造方法,其中所述第二步骤还包含覆盖部分的所述导 线,使另一部分的所述导线露出在所述附着力调整层外。根据本专利技术的制造方法,其中所述第三步骤还包含覆盖露出另一部分的 所述导线。根据本专利技术的制造方法,其中所述第一透镜层实质上为半球体。 根据本专利技术的制造方法,其中所述芯片为发光二极管芯片。 根据本专利技术的制造方法,其中所述衬底为印刷电路板。 根据本专利技术的制造方法,其中所述第一透镜层与所述附着力调整层实质 上为相同或不同的材料。根据本专利技术的第二方面,提出一种封装件。封装件包括衬底、芯片、附 着力调整层及第一透镜层。芯片设置于衬底上,且芯片与衬底电连接。附着 力调整层设置于芯片上并覆盖部分衬底。附着力调整层与芯片之间具有第一 附着力。第一透镜层设置于附着力调整层上。附着力调整层与第一透镜层之 间具有第二附着力。芯片的表面态的改变,有助于第一透镜层的成形。根据本专利技术的封装件,还包括至少一个第二透镜层,所述第二透镜层设置在所述第一透镜层上。根据本专利技术的封装件,其中所述芯片以导线电连接所述衬底,部分所述导线露出于所述附着力调整层外,所述第一透镜层还覆盖露出的所述导线。 根据本专利技术的封装件,其中所述衬底为印刷电路板。 根据本专利技术的封装件,其中所述芯片为发光二极管芯片。 根据本专利技术的封装件,其中所述第一透镜层实质上为半球体。 根据本专利技术的封装件,其中所述附着力调整层的材料为铁氟龙、环氧树脂或硅胶。根据本专利技术的封装件,其中所述第一透镜层的材料为环氧树脂或硅胶。 为让本专利技术的上述内容能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合附 图,作详细说明如下附图说明图1A示出传统的封装件的示意图。图1B示出另一种传统的封装件的示意图。图1C示出模具的示意图。图2示出根据本专利技术第一实施例的封装件的制造方法的流程图。图3A 图3C示出图2的制造方法的流程示意图。图4示出图3C的芯片射出光线的示意图。图5示出根据本专利技术第二实施例的封装件的示意图。其中附图标记说明如下100、150、 200、 300:封装件101:反射杯103:芯片105:封装胶体155:凸状胶体157:表面跳模具161:凹穴210:衬底215:导线220:心片230:附着力调整层240:第一透镜层340:第二透镜层400:光线410:光场分布具体实施例方式第一实施例请同时参照图2及图3A 图3C,图2示出根据本专利技术第一实施例的封 装件的制造方法的流程图,图3A 图3C示出图2的制造方法的流程示意图。首先,如图2及图3A所示,在步骤301中,设置芯片220在衬底210 上。芯片220例如是利用至少一个导线215与衬底210电连接。接着,如图2及图3B所示,在步骤303中,形成附着力调整层230在 芯片220上。附着力调整层230与芯片220之间具有第一附着力。然后,如图3C所示,形成第一透镜层240在附着力调整层230上,以 形成封装件200。其中,附着力调整层230与第一透镜层240之间具有第二 附着力。由于附着力调整层230覆盖在芯片220上改变了表面态,使得第一 透镜层240的材料的内聚力、表面张力与第二附着力的交互作用,有助于第 一透镜层240的成形。附着力为两种物质之间的分子吸引力。也就是说,当附着力越小时,两 种物质之间的分子吸引力越小,当附着力越大时,两种物质之间的分子吸引 力越大。在本实施例中,由于附着力调整层230覆盖在芯片220上改变了表 面态,使得第一透镜层240的材料的内聚力、表面张力与附着力调整层间的 第二附着力交互作用,相较于第一附着力而言,有助于第一透镜层240的成 形。再者,在本g施例中,芯片220例如是发光二极管(LightEmittingDiode, LED),且衬底210例如是印刷电路板(Printed Circuit Board, PCB)。请参照 图4,其示出图3C的芯片射出光线的示意图。当芯片220发光时,光线400 分别通过附着力调整层230及第一透镜层240。由于附着力调整层230可调 整第一透镜层240的形状,因此当光线400通过第一透镜层240后可控制形 成不同的光场分布410。较佳地,在本实施例中,第一透镜层240可透过适 当地调整,而成为半球体。如图3B所示,当附着力调整层230覆盖芯片220时,附着力调整层230 较为平坦。如此,附着力调整层230仅覆盖部分的导线215,另一部分的导 线215则露出于附着力调整层230外。如图3C所示,当第一透镜层240覆 盖于附着力调整层230时,第一透镜层240较为凸出。如此,虽然附着力调整层230仅可覆盖部分的导线215,另一部分的导线215则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装件的制造方法,包括:第一步骤,设置芯片在衬底上,使所述芯片与所述衬底电连接;第二步骤,形成附着力调整层在所述芯片上,所述附着力调整层与所述芯片之间具有第一附着力;以及第三步骤,形成第一透镜层在所述附着力调整层 上,所述附着力调整层与所述第一透镜层之间具有第二附着力。

【技术特征摘要】
1.一种封装件的制造方法,包括第一步骤,设置芯片在衬底上,使所述芯片与所述衬底电连接;第二步骤,形成附着力调整层在所述芯片上,所述附着力调整层与所述芯片之间具有第一附着力;以及第三步骤,形成第一透镜层在所述附着力调整层上,所述附着力调整层与所述第一透镜层之间具有第二附着力。2. 如权利要求1所述的制造方法,其中在所述第三步骤之后,所述制造 方法还包括在所述第一透镜层上形成至少一个第二透镜层。3. 如权利要求1所述的制造方法,其中在所述第二步骤中,利用旋转涂 抹、刷涂、喷涂、浸沾或点沾的方式在所述芯片上形成所述附着力调整层。4. 如权利要求1所述的制造方法,其中在所述第三步骤中,利用点沾的 方式在所述附着力调整层上形成所述第一透镜层。5. 如权利要求1所述的制造方法,其中在所述第二步骤之后且在所述第 三步骤之前,所述制造方法还包括硬化所述附着力调整层。6. 如权利要求1所述的制造方法,其中所述第一步骤还包含利用导线电连接所述芯片与所述衬底。7. 如权利要求6所述的制造方法,其中所述第二步骤还包含覆盖部分的 所述导线,使另一部分的所述导线露出在所述附着力调整层外。8. 如权利要求7所述的制造方法,其中所述第三步骤还包含覆盖露出另 一部分的所述导线。9. 如权利要求1所述的制造方法,其中所述第一透镜层实质上为半球...

【专利技术属性】
技术研发人员:林志维田运宜林睫修刘宇桓陈怡礽王志麟
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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