散热型薄膜覆晶封装构造制造技术

本发明专利技术是有关于一种散热型薄膜覆晶封装构造，主要包含有一电路薄膜、一凸块化晶片以及一点涂胶体，该电路薄膜是定义有一对应于该晶片的覆晶接合区并具有一软性介电层与复数个引脚及一支撑铜垫，该些引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的周边，该支撑铜垫是形成于该覆晶接合区的中央，可以防止在接合该晶片的凸块至该些引脚的内接合部时该软质介电层的塌陷。因此，该点涂胶体能顺利充填在该电路薄膜与该晶片之间，不会发生气泡。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路封装构造，特别是涉及一种可防止在接合晶 片的凸块至该些引脚的内接合部时软质介电层塌陷，使点涂胶体能顺利充 填在电路薄膜与晶片之间，而不会发生气泡的散热型薄膜覆晶封装构造在以往集成电路封装构造中， 一种薄膜覆晶封装构造是针对长矩形的 显示器驱动晶片而设，其分别在晶片两长侧边的输入端与输出端上均设有 一金凸块，并经施予压合与加热，以接合至一电路薄膜的引脚。当晶片的 加热温度传递至该电路薄膜，经常会导致该电路薄膜受热塌陷，而导致变 形，使得后续涂胶困难,优良率降低。尤其是在封装高密度的显示器驱动晶 片时，由于晶片的输出端数量增多，无法全部在配置在晶片的其中一长側 边,故部分的晶片输出端(凸块)会配置于晶片的其中两短侧边，而会影响了 点涂胶体的流动速率。请参阅图1、图2所示，图l是现有习知的薄膜覆晶封装构造的截面示 意图，图2是现有习知的薄膜覆晶封装构造的底面透视图。 一种现有习知 的薄膜覆晶封装构造IOO,包含一电路薄膜110、 一晶片120以及一点涂胶 体130。该晶片120具有复数个凸块121，以接合至该电路薄膜110。该点涂胶 体130是在粘晶之后以点涂方式形成并经毛细流动，以填充在该晶片120 与该电路薄膜11G之间。该电路薄膜110具有一软质介电层111、复数个长侧引脚112、复数个 短側引脚113以及一防焊层114。该防焊层114具有一开孔115，以显露该 些长侧引脚112的复数个内接合部112A、该些短侧引脚113的复数个内接 合部113A以及该软质介电层111对应于该晶片120的中央位置。并且，该晶片120的该些凸块121是排列于一主动面的四周边(如图2 所示),以热压合方法接合至该些长侧引脚112的内接合部112A与该些短 侧引脚113的内接合部113A。因此，请参阅图3所示，是现有习知的薄膜覆晶封装构造在晶片接合 时的截面示意图。该软质介电层111对应于该晶片120的主动面中央下方 处为单层型态，缺乏足够的支撑，在该晶片120的接合过程会受热导致塌
技术介绍
陷(如图3所示的塌陷处111A),导致该晶片120的主动面中央与该电路薄 膜110的间隙小于该晶片120的主动面周边与该电路薄膜110的间隙，故该 点涂胶体130在后续点涂过程会在不同位置产生不同的流动速率，特别是 在该塌陷处111A与该晶片120之间会产生气泡131(如图l所示)，由于该 点涂胶体130的填充不实，而导致封装优良率降低。原申请人于中国台湾专利公告第505315号揭示了一种薄膜覆晶封装 构造，其是一导流条形成于一软质薄膜的上表面，以导引一底部填充材(即 点涂胶体)的流动，为达到导流的效果，该导流条的配置方向是与一晶片的 较短侧边为平行，无明显的支撑效果，使得该软质薄膜仍会受热塌陷。由此可见，上述现有的薄膜覆晶封装构造在结构与使用上，显然仍存 在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关 厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发 展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关 业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的散热型薄膜覆晶封装构 造，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的薄膜覆晶封装构造存在的缺陷，本专利技术人基于从事 此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积 极加以研究创新，以期创^L一种新型的散热型薄膜覆晶封装构造，能够改进 一般现有的薄膜覆晶封装构造，使其更具有实用性。经过不断的研究、设 计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，克服现有的薄膜覆晶封装构造存在的缺陷，而 提供一种新型的薄膜覆晶封装构造，所要解决的技术问题是使其可以防止 在接合一晶片的凸块至该些引脚的内接合部时该软质介电层的塌陷，使得 在该电路薄膜与该晶片之间维持有可供胶体顺利流动的 一致间隙，因此在 后续制程中点胶形成的点涂胶体能够顺利的充填在该电路薄膜与该晶片之 间，而不会发生气泡，兼具有导热与电性屏障的功效，非常适于实用。本专利技术的次一目的在于，提供一种散热型薄膜覆晶封装构造，所要解决 的技术问题是使其中该支撑铜垫上是电镀有一硬质金属层，可以增强该支 撑铜垫能用于支撑该软质介电层以防止塌陷的能力，从而更加适于实用。本专利技术的另一目的在于，提供一种散热型薄膜覆晶封装构造，所要解 决的技术问题是使其中该支撑铜垫是与部份位于该覆晶接合区短侧的引脚 为一体连接，故可作为一接地或电源层并可与该些引脚由同一铜箔蚀刻形 成，不会增加元件成本。此外，还能够增进该支撑铜垫在该软质介电层上的 贴附性，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依 据本专利技术提出的一种散热型薄膜覆晶封装构造，其包含 一电路薄膜，其具 有一软质介电层、复数个长侧引脚、复数个短侧引脚及一支撑铜垫； 一晶片，具有复数个凸块，其是接合至该些长侧引脚与该些短侧引脚；以及一点 涂胶体，其形成于该电路薄膜与该晶片之间；其中，该电路薄膜定义有一对 应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区，该些长侧引脚的复数个内接合部是 排列于该覆晶接合区的两较长侧，该些短侧引脚的复数个内接合部是排列 于该覆晶接合区的两较短侧，该支撑铜垫是形成于该覆晶接合区的中央，以陷，以利于该点涂胶体的充填。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的散热型薄膜覆晶封装构造，其中所述的支撑铜垫是与部份的该 些短侧引脚为一体连接。前述的散热型薄膜覆晶封装构造，其中所述的支撑铜垫的面积是超过 该覆晶接合区的百分之三十以上。前述的散热型薄膜覆晶封装构造,其另包含有一防焊层，其是形成于该 软质介电层上并局部覆盖该些长侧引脚与该些短侧引脚，并且该防焊层是该支撑铜垫。 ' 一 ' ， - 、前述的散热型薄膜覆晶封装构造，其中所述的点涂胶体是密封该些凸 块、该些长側引脚的该些内接合部、该些短侧引脚的该些内接合部与该支撑铜垫。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 专利技术提出的一种散热型薄膜覆晶封装构造，其包含: 一电路薄膜，其具有一 软质介电层、复数个引脚以及一支撑铜垫； 一晶片，其具有复数个凸块，其 是接合至该些引脚的复数个内接合部；以及一点涂胶体，其形成于该电路薄 膜与该晶片之间；其中，该电路薄膜是定义有一对应于该晶片的覆晶接合区，该些引脚的该些内接合部是排列于该覆晶接合区的周边，该支撑铜垫是 形成于该覆晶接合区的中央，以防止在接合该些引脚与该些凸块时该软质 介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的散热型薄膜覆晶封装构造，其中所述的支撑铜垫的面积是超过 该覆晶接合区的百分之三十以上。前述的散热型薄膜覆晶封装构造,其另包含有一防焊层，其是形成于该 软质介电层上并局部覆盖该些引脚，并且该防焊层是具有一开孔，其是显 露该些引脚的该些内接合部以及该支撑铜垫。前述的散热型薄膜覆晶封装构造，其中所述的点涂胶体是为 一底部填 充胶。前述的散热型薄膜覆晶封装构造，其中所述的点涂胶体是密封该支撑铜垫。本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种散热型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其包含：一电路薄膜，其具有一软质介电层、复数个长侧引脚、复数个短侧引脚及一支撑铜垫；一晶片，其具有复数个凸块，其是接合至该些长侧引脚与该些短侧引脚；以及一点涂胶体，其形成于该电路 薄膜与该晶片之间；其中，该电路薄膜定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区，该些长侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较长侧，该些短侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较短侧，该支撑铜垫是形成于该覆晶接合区的中 央，以防止在接合该些凸块至该些长侧引脚与该些短侧引脚时该软质介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填。

【技术特征摘要】
1、一种散热型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其包含一电路薄膜，其具有一软质介电层、复数个长侧引脚、复数个短侧引脚及一支撑铜垫；一晶片，其具有复数个凸块，其是接合至该些长侧引脚与该些短侧引脚；以及一点涂胶体，其形成于该电路薄膜与该晶片之间；其中，该电路薄膜定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区，该些长侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较长侧，该些短侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较短侧，该支撑铜垫是形成于该覆晶接合区的中央，以防止在接合该些凸块至该些长侧引脚与该些短侧引脚时该软质介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填。2、 根据权利要求1所述的散热型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中 所述的支撑铜垫是与部份的该些短侧引脚为一体连接。3、 根据权利要求1所述的散热型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中 所述的支撑铜垫的面积是超过该覆晶接合区的百分之三十以上。4、 根据权利要求1所述的散热型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其另 包含有一防焊层，其是形成于该软质介电层上并局部覆盖该些长側引脚与 该些短侧引脚，并且该防焊层是具有一开孔，其是显露该些长侧引脚与该 些短側引脚的该些内接合部以及该支撑铜垫。5、 根据权利要求1所述的散热型薄膜覆晶封装构造，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨郁廷，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，百慕达南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]