模封阵列处理的半导体封装构造与其模封阵列处理制程制造技术

本发明专利技术是有关于一种模封阵列处理的半导体封装构造与模封阵列处理制程。该模封阵列处理（Ｍｏｌｄ－Ａｒｒａｙ－Ｐｒｏｃｅｓｓ，ＭＡＰ）的半导体封装构造，主要包含一晶片载体、至少一晶片以及一封胶体。该晶片是设置于该晶片载体上并与该晶片载体电性连接。该封胶体是实质覆盖该晶片载体的一上表面并密封该晶片，其中该封胶体的其中两侧是各形成为一模流限制部，其是较低于该封胶体的中央顶面且对齐至该晶片载体的对应切割边缘。因此藉由封胶体的形状变化，能在不需要增加缓流障碍物元件的条件下达到中央与侧边模流平衡，在晶片旁边不会有ＭＡＰ封装气泡。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装构造，特别是涉及一种模封阵列处理的半导体封装构造(MAP type semiconductor package)及其模封阵列处理制程。技术背景在半导体封装领域中，使用模封阵列处理(Mold Array Process, MAP) 可以大幅降低封胶体的制造成本并提升封装效率。复数个晶片栽体是一体 包含在一基板条内，在粘贴半导体晶片之后，使用模封技术将一封胶体覆 盖一基板条的大部分表面，港着该些晶片载体的边界切割该封胶体与该基 板条，可以得到方块形的MAP半导体封装构造。请参阅图1所示， 一种现有习知模封阵列处理的半导体封装构造100 主要包含一晶片栽体IIO、 一晶片120与一封胶体130。其与传统单颗模封 的半导体封装构造最大差异在于，该封胶体130是具有四周切割面，其是 与该晶片载体110的切割边缘为纵向对齐。该晶片120是设置于该晶片栽 体110上。打线形成的复数个焊线140电性连接该晶片120的焊垫121至 该晶片载体110，该封胶体130是以模封方式形成于该晶片载体110上，而 该晶片载体110的下方可以设有复数个例如焊球的外接端子150。该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在于其主要包含：一晶片载体，其是具有一上表面、一下表面及复数个在该上表面与该下表面之间的切割边缘；至少一晶片，其是设置于该晶片载体的上表面并与该晶片载体电性连接；以及一封胶体， 其是实质覆盖该晶片载体的上表面并密封该晶片，其中该封胶体的其中两侧是各形成为一模流限制部，其是较低于该封胶体的中央顶面且对齐至该晶片载体的对应切割边缘。

【技术特征摘要】
1、一种模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在于其主要包含一晶片载体，其是具有一上表面、一下表面及复数个在该上表面与该下表面之间的切割边缘；至少一晶片，其是设置于该晶片载体的上表面并与该晶片载体电性连接；以及一封胶体，其是实质覆盖该晶片载体的上表面并密封该晶片，其中该封胶体的其中两侧是各形成为一模流限制部，其是较低于该封胶体的中央顶面且对齐至该晶片载体的对应切割边缘。2、 根据权利要求l所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在 于其中所述的该些模流限制部是具有一侧顶面，由该些側顶面至该晶片栽 体的上表面的一第一高度是降低而接近至由该封胶体的中央顶面至该晶片 的主动面的一第二高度。3、 根据权利要求l所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在 于其中该封装构造是概呈矩形方块体，该两模流限制部是为条状，而该封 胶体的其余两侧则不形成有模流限制部。4、 根据权利要求2所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在 于其中所述的该些模流限制部的宽度是不超过该晶片的侧面，且该些模流 限制部至该晶片側面的间隙是大致等同或小于前述第一高度。5、 根据权利要求l所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在 于其另包含有复数个焊线，其是电性连接该晶片与该晶片载体。6、 根据权利要求5所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在 于其中所述的晶片的一主动面是贴附于该晶片载体的上表面，且该晶片的 复数个焊垫是对准在该晶片载体的一槽孔内，该些焊线是通过该槽孔电性 连接该些焊垫至该晶片载体。7、 根据权利要求5所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在 于其中所述的晶片的一主动面是远离该晶片载体的上表面，并以该些焊线 将该晶片在该主动面上的焊垫电性连接至该晶片栽体。8、 根据权利要求l所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在 于其另包含有复数个外接端子，其是接合在该晶片栽体的下表面。9、 根据权利要求8所述的模封阵列处理的半导体封装构造，其特征在 于其中所述的该些外接端子是包含焊球。10、 一种半导体封装构造的模封阵列处理制程，其特征在于其至少包 含以下步骤提供一基板条，其是包含复数个阵列且一体连接的晶片载体，该些晶片载体是具有一上表面与 一下表面；设...

【专利技术属性】
技术研发人员：范文正，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]