像素阵列及其掩模结构制造技术

本发明专利技术提供一种像素阵列及其掩模结构，该像素阵列包括基板，基板包括第一区域、第二区域及第三区域。该第一区域的长边与该第三区域的长边之间的夹角为60度至120度，且该第二区域的长边与该第三区域的长边之间的夹角为60度至120度。至少两个第一颜色子像素，沿着该第一区域的长边方向而设置于该第一区域中；至少两个第二颜色子像素，沿着该第二区域的长边方向而设置于该第二区域中；及至少两个第三颜色子像素，沿着该第三区域的长边方向而设置于该第三区域中，其中该第一区域内的其中一个第一颜色子像素、该第二区域内的其中一个第二颜色子像素及该第三区域内的其中一个第三颜色子像素构成像素单元。本发明专利技术能制出像素密度及分辨率更高的像素阵列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种像素阵列及其掩模结构，且特别是有关于一种像素阵列的像素排列方式及其掩模结构。
技术介绍
传统上，有机发光二极管的面板制作是利用精细金属掩模(finemetalmask；FMM)隔开不同子像素，并通过蒸镀达成红光、绿光及蓝光的排列方式。目前主要的两种像素排列方式，一种是以红色像素、绿色像素及蓝色像素不断重复排列的条状(stripe)排列，其每英寸像素(pixelperinch；ppi)以现有的金属掩模模式发展最高可达到257ppi。基于现有的像素排列方式下，由于精细金属掩模(FMM)的尺寸具有一定限制，因此，要达到增加面板的像素密度及分辨率的难度也随之增加。基于上述，如何提高面板的像素密度及分辨率为目前积极研究的重要课题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素阵列及其掩模结构，可用以提高有机发光二极管面板的像素密度及分辨率。本专利技术的像素阵列包括基板、至少两个第一颜色子像素、至少两个第二颜色子像素以及至少两个第三颜色子像素。所述基板包括第一区域、第二区域以及第三区域。第一区域的长边与第三区域的长边之间的夹角为60度至120度，且第二区域的长边与所述第三区域的长边之间的夹角为60度至120度。至少两个第一颜色子像素沿着第一区域的长边方向而设置于第一区域中。至少两个第二颜色子像素沿着第二区域的长边方向而设置于第二区域中。至少两个第三颜色子像素沿着第三区域的长边方向而设置于第三区域中，其中，第一区域内的其中一个第一颜色子像素、第二区域内的其中一个第二颜色子像素以及第三区域内的其中一个第三颜色子像素构成一像素单元。本专利技术另提供一种像素阵列，包括基板、多个第一颜色子像素、多个第二颜色子像素以及多个第三颜色子像素。所述基板具有多个第一区域、多个第二区域以及多个第三区域，以排列成多行以及多列。每一第一区域设置有至少两个第一颜色子像素；每一第二区域设置有至少两个第二颜色子像素；以及每一第三区域设置有至少两个第三颜色子像素，其中，第一行的排列依序为第一区域、第二区域以及第三区域，第二行的排列依序为第三区域、第一区域以及第二区域，第三行的排列依序为第一区域、第二区域以及第三区域。任相邻两行之中的任三个邻接的第一区域、第二区域以及第三区域中的其中一个第一颜色子像素、其中一个第二颜色子像素以及其中一个第三颜色子像素构成一像素单元。本专利技术另提供一种掩模结构，包括板材、第一遮蔽图案以及第二遮蔽图案。所述板材具有多个第一区域、多个第二区域以及多个第三区域。第一区域的长边与第三区域的长边之间的夹角为60度至120度，且第二区域的长边与第三区域的长边之间的夹角为60度至120度。第一遮蔽图案对应第一区域设置。第二遮蔽图案对应第二区域设置，其中所述板材的多个第三区域为一开口图案。基于上述，本专利技术的像素阵列是于基板上的第一区域、第二区域以及第三区域中分别设置了至少两个第一颜色子像素、至少两个第二颜色子像素以及至少两个第三颜色子像素，且各区域之间的排列方式及夹角做了特殊的设计。因此，本专利技术可以在符合现有精细金属掩模的限制下制作出更高像素密度(ppi)及分辨率的像素阵列。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1A以及图1B为本专利技术一实施例中像素阵列的示意图。图2为本专利技术一实施例中各子像素的等效电路图。图3为本专利技术一实施例中第一区域的两个子像素的剖面示意图。图4A以及图4B分别为本专利技术一实施例中像素阵列的列、行示意图。图5A以及图5B为本专利技术一实施例中像素阵列的像素单元的排列方式的示意图。图6为本专利技术另一实施例中像素阵列的示意图。图7为本专利技术一实施例中掩模结构的示意图。符号说明：100：基板600：板材R1、Rb1第一区域R2、Rb2：第二区域R3、Rb3：第三区域C1：第一颜色子像素C2：第二颜色子像素C3：第三颜色子像素L1、L2、L3、Lb1、Lb2、Lb3：长边W1、W2、W3、Wb1、Wb2、Wb3：短边ang1、ang2：夹角CP：接触点PU：像素单元PU1：第一像素单元PU2：第二像素单元PU3：第三像素单元PU4：第四像素单元T1、T2：薄膜晶体管C：电容器DL：数据线SL：扫描线PL：电源线SgL：信号线OLED：有机发光二极管DE：驱动元件PV：覆盖层EL1：第一电极EL2：第二电极LEL：发光层S：间隙区域M1：第一遮蔽图案M2：第二遮蔽图案Op：开口图案具体实施方式图1A、图1B为本专利技术一实施例中像素阵列的示意图。请同时参照图1A及图1B，本实施例的像素阵列包括设置于基板100上的至少两个第一颜色子像素C1、至少两个第二颜色子像素C2以及至少两个第三颜色子像素C3。所述基板100包括多个第一区域R1、多个第二区域R2以及多个第三区域R3。在本实施例中，第一区域R1的长边L1与短边W1之间的比例为2：1，第二区域R2的长边L2与短边W2之间的比例为2：1，且第三区域R3的长边L3与短边W3之间的比例为2：1。于图1A、图1B的实施例中，第一区域R1的短边W1与第三区域R3的长边L3切齐，连接成一直线，但本专利技术不限于此。另外，基于现有精细金属掩模(FMM)的尺寸限制，第一区域R1、第二区域R2以及第三区域R3的宽度为40微米。然，本专利技术不限定第一区域R1、第二区域R2以及第三区域R3的比例以及尺寸。举例来说，为了因应不同的像素单元排列，使用者可对上述第一区域R1、第二区域R2以及第三区域R3的比例及尺寸进行调整以达到下文所提出的技术效果。于本实施例中，第一区域R1的长边L1与第三区域R3的长边L3之间的夹角ang1为60度至120度，较佳为90度至120度。第二区域R2的长边L2与第三区域R3的长边L3之间的夹角ang2为60度至120度，较佳为90度至120度。如图1A、图1B的实施例所示，第一区域R1的长边L1与第三区域R3的长边L3之间的夹角ang1较佳为90度，而第二区域R2的长边L2与第三区域R3的长边L3之间的夹角ang2较佳为90度，但是本专利技术不限于此。另外，第一区域R1的长边L1与X方向之间的夹角为θ，第二区域R2的长边L2与X方向之间的夹角为θ，且第三区域R3的长边L3与X方向之间的夹角为90-θ，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素阵列，其特征在于，包括：一基板，包括一第一区域、一第二区域以及一第三区域，所述第一区域的一长边与所述第三区域的一长边之间的夹角为60度至120度，且所述第二区域的一长边与所述第三区域的一长边之间的夹角为60度至120度；至少两个第一颜色子像素，沿着所述第一区域的一长边方向而设置于所述第一区域中；至少两个第二颜色子像素，沿着所述第二区域的一长边方向而设置于所述第二区域中；以及至少两个第三颜色子像素，沿着所述第三区域的一长边方向而设置于所述第三区域中，其中所述第一区域内的其中一第一颜色子像素、所述第二区域内的其中一第二颜色子像素以及所述第三区域内的其中一第三颜色子像素构成一像素单元。

【技术特征摘要】
2015.08.19 TW 1041269711.一种像素阵列，其特征在于，包括：
一基板，包括一第一区域、一第二区域以及一第三区域，所述第一区域的一长边
与所述第三区域的一长边之间的夹角为60度至120度，且所述第二区域的一长边与
所述第三区域的一长边之间的夹角为60度至120度；
至少两个第一颜色子像素，沿着所述第一区域的一长边方向而设置于所述第一区
域中；
至少两个第二颜色子像素，沿着所述第二区域的一长边方向而设置于所述第二区
域中；以及
至少两个第三颜色子像素，沿着所述第三区域的一长边方向而设置于所述第三区
域中，其中
所述第一区域内的其中一第一颜色子像素、所述第二区域内的其中一第二颜色子
像素以及所述第三区域内的其中一第三颜色子像素构成一像素单元。
2.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述第一区域的所述长边与所
述第二区域的所述长边实质上彼此平行，且所述第一区域的所述长边与所述第三区域
的所述长边之间的夹角为90度至120度。
3.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述第一区域的所述长边与X
方向之间的夹角为θ，所述第二区域的所述长边与X方向之间的夹角为θ，所述第
三区域的所述长边与X方向之间的夹角为90–θ，其中θ大于0且小于90度。
4.如权利要求3所述的像素阵列，其特征在于，所述夹角θ为45度。
5.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述第一区域的所述长边与一
短边之间的比例为2：1，所述第二区域的所述长边与一短边之间的比例为2：1，且
所述第三区域的所述长边与一短边之间的比例为2：1。
6.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述第一区域、所述第二区域
以及所述第三区域具有一接触点，且所述第一区域内靠近所述接触点的所述第一颜色
子像素、所述第二区域内靠近所述接触点的所述第二颜色子像素以及所述第三区域内
靠近所述接触点的第三颜色子像素构成所述像素单元。
7.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，每一第一颜色子像素、每一第

\t二颜色子像素以及每一第三颜色子像素各自包括：
一驱动元件；
一第一电极，与所述驱动元件电连接；
一发光层，位于所述第一电极上：以及
一第二电极，位于所述发光层上。
8.如权利要求7所述的像素阵列，其特征在于：
在所述第一区域中，所述至少两个第一颜色子像素的所述发光层为同一膜层；
在所述第二区域中，所述至少两个第二颜色子像素的所述发光层为同一膜层；以
及
在所述第三区域中，所述至少两个第三颜色子像素的所述发光层为同一膜层。
9.如权利要求7所述的像素阵列，其特征在于：
所述至少两个第一颜色子像素的所述发光层填满所述第一区域；
所述至少两个第二颜色子像素的所述发光层填满所述第二区域；以及
所述至少两个第三颜色子像素的所述发光层填满所述第三区域。
10.权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述第一区域、所述第二区域以
及所述第三区域之间形成一间隙区域，且所述间隙区域具有一黑色矩阵材料。
11.一种像素阵列，其特征在于，包括：
一基板，具有多个第一区域、多个第二区域以及多个第三区域，以排列成多行以
及多列；
多个第一颜色子像素，每一第一区域设置有至少两个第一颜色子像素；
多个第二颜色子像素，每一第二区域设置有至少两个第二颜色...

【专利技术属性】
技术研发人员：林冠亨，陈重嘉，李孟庭，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71