半导体元件及其制造方法技术

一种半导体元件的制造方法，是先提供一个基底，再于基底上形成多个ＩＯ元件与多个核心元件，其中ＩＯ元件包括ＩＯ　　ＰＭＯＳ和ＩＯ　　ＮＭＯＳ、核心元件包括核心ＰＭＯＳ和核心ＮＭＯＳ。然后，在基底上形成一层缓冲层，再移除ＩＯ　　ＰＭＯＳ表面以外的缓冲层，以降低ＩＯ　　ＰＭＯＳ的负偏压温度不稳定度。然后，于ＩＯ　　ＮＭＯＳ与核心ＮＭＯＳ上覆盖一层抗张接触窗蚀刻中止层，并于核心ＰＭＯＳ上覆盖一层抗压接触窗蚀刻中止层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体元件的制造方法，包括：提供基底；于该基底上形成多个ＩＯ元件与多个核心元件，其中该些ＩＯ元件包括多个ＩＯＰＭＯＳ和多个ＩＯＮＭＯＳ，且该些核心元件包括多个核心ＰＭＯＳ和多个核心ＮＭＯＳ；于该基底上形成缓冲层；移除该些ＩＯＰＭＯＳ表面以外的该缓冲层；于该些ＩＯＮＭＯＳ与该些核心ＮＭＯＳ上覆盖抗张接触窗蚀刻中止层；以及于该些核心ＰＭＯＳ上覆盖抗压接触窗蚀刻中止层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪文瀚，黄正同，郑礼贤，李坤宪，丁世汎，郑子铭，梁佳文，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]