堆栈结构以及以此堆栈结构图案化的方法技术

一种用于图案化的堆栈结构，用以在一材料层中形成一开口图案，该开口图案具有一预定的开口宽度。此堆栈结构包括一底层、一多硅有机层与一光致抗蚀剂层，其中底层位于该材料层上；多硅有机层介于底层与光致抗蚀剂层之间，光致抗蚀剂层的厚度小于底层的厚度但大于多硅有机层厚度的２倍，底层的厚度则小于预定的开口宽度的３倍。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种图案化的方法，用以在材料层中形成开口图案，该开口图案具有预定的开口宽度，包括：提供基底，该基底上已形成该材料层；在该材料层上形成底层；在该底层上形成多硅有机层；在该多硅有机层上形成光致抗蚀剂层，该光致抗蚀 剂层的厚度大于该多硅有机层厚度的２倍，但小于该底层的厚度；图案化该光致抗蚀剂层，在该光致抗蚀剂层中形成该开口图案；以该光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻该多硅有机层，使该开口图案转移至该多硅有机层；以该多硅有机层为掩模，蚀刻该 底层，使该开口图案转移至该底层，当该开口图案完全转移至该底层时，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王明俊，陈薏新，廖俊雄，杨闵杰，王传凯，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]