氮化物半导体发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化物半导体发光元件，该元件包括：透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层，所述第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明专利技术还提供了一种氮化物半导体发光元件，该元件包括：透明导体；金属层；第二透明导体；第一导电型氮化物半导体层；发光层；和第二导电型氮化物半导体层，所述金属层、第二透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明专利技术还提供了各个这些氮化物半导体发光元件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氮化物半导体发光元件，包括：透明导体；第一导电型氮化物半导体层；发光层；和第二导电型氮化物半导体层，所述第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层顺序地层叠在所述透明导体上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：幡俊雄，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]