晶片的检查装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及晶片的检查装置，可用一个装置同时检查晶片的稀释剂附着物和涂布在晶片表面上的光敏电阻的厚度测定、以及包括边缘曝光的晶片的侧面检查。在具有上、下面和侧面的装置本体（１）内部包括：固定并使晶片旋转的吸盘（２）；第一装置（３），设置在吸盘（２）上部，检测安装在吸盘（２）上的晶片表面的稀释剂附着物；第二装置（４），同时检查晶片的上部侧面和下部侧面，通过组合这些检查而进行晶片的侧面检查；以及第三装置（５），对安装在吸盘（２）上的晶片的光敏电阻的厚度进行测定。由此可确保晶片检查的迅速性和简便性，还可同时进行现有技术中不能检查的包括边缘曝光的侧面检查，所以具有可实现晶片检查的正确性和快速的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的冲企查装置(Wafer inspecting equipment),尤其是可用 一个装置同时进行晶片的稀释剂附着物检查、涂布在晶片 表面上的光敏电阻的厚度测定、以及包括边缘曝光在内的晶片的侧 面检查的晶片的检查装置。
技术介绍
通常，光敏电阻的涂布方法是将晶片固定并安装在工作台上 后，如图1所示，向所述晶片W的上表面中心喷射光壽丈电阻PR, 使所述晶片W以预定速度旋转，从而集中在中心部的光敏电阻PR 涂布在晶片的整个面上，这是因为通过在晶片的整个区域上均匀 地涂布光每文电阻，在曝光时，即l吏在晶片的中央部和周边部l吏用同 样的曝光能量，图案差别也呈一定基准。并且，如图2的剖面部分所示，晶片上的光敏电阻PR必须仅 涂布在晶片W的上面，但是由于晶片旋转而产生的离心力，光每文电 阻PR如虚线所示，覆盖晶片W的边缘(edge)、即晶片的侧面和下 面的 一 部分，成为4吏层叠有多个晶片的壳体内部的侧面及下面污染 的主要原因。为此，沿着图2的垂直方向所表示的线除去光敏电阻， <旦是， 此时使用的是对光敏电阻的溶解能力良好的稀释剂(thinner),如图 3a所示，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的检查装置，其特征在于，在具有上面、下面和侧面的装置本体（１）的内部包括：固定并使晶片（Ｗ）旋转的吸盘（２）；第一装置（３），设置在所述吸盘（２）的上部侧，对安装在吸盘（２）上的晶片（Ｗ）的表面稀释剂附着物进行检测；第二装置（４），对安装在所述吸盘（２）上的晶片（Ｗ）的上部侧面和下部侧面同时检查，通过这些检查的组合而进行晶片（Ｗ）的侧面检查；以及第三装置（５），对安装在所述吸盘（２）上的晶片（Ｗ）的光敏电阻的厚度进行测定。

【技术特征摘要】
KR 2006-10-12 10-2006-00994941.一种晶片的检查装置，其特征在于，在具有上面、下面和侧面的装置本体(1)的内部包括固定并使晶片(W)旋转的吸盘(2)；第一装置(3)，设置在所述吸盘(2)的上部侧，对安装在吸盘(2)上的晶片(W)的表面稀释剂附着物进行检测；第二装置(4)，对安装在所述吸盘(2)上的晶片(W)的上部侧面和下部侧面同时检查，通过这些检查的组合而进行晶片(W)的侧面检查；以及第三装置(5)，对安装在所述吸盘(2)上的晶片(W)的光敏电阻的厚度进行测定。2. 根据权利要求1所述的晶片的检查装置，其特征在于，所述装 置本体(1 ) i殳置成可沿着基座(6)上的侧向4九(Rl )移动， 所述基座(6)的两侧具有侧面导向件(6a)。3. 根据权利要求1所述的晶片的检查装置，其特征在于，所述第 一装置(3)包括设置在下部垂直方向上的稀释剂附着物检测 用相机(31 ),所述稀释剂附着物检测用相机(31 )可利用具 有侧向轨(Rl )的支架(32)沿着装置本体(1 )的侧面部移 动。4. 根据权利要求3所述的晶片的检查装置，其特征在于，所述稀 释剂附着物;险测用相才几(31)在支撑体(33a)的下面一体形 成有包^fe多个灯(33b)的照明部(33),相才几的4竟筒部贯穿所 述支撑体(33a)的中央。5. 根据权利要求1所述的晶片的检查装置，其特征在于，所述第 二装置(4)包括分别设置在晶片的一侧的上部和另一侧的下...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵基先，金镐烈，姜缗彻，朴钟夏，
申请(专利权)人：DET株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]