【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种太阳能电池的制造方法以及太阳能电池,特别涉及一种低成本、高效率的太阳能电池的制造方法,以及以该方法制造而成的太阳能电池。
技术介绍
现今,降低成本为民生用太阳能电池制造方法的一重要课题,因此,一般是采用组合热扩散法与网版印刷法的方法。其详细为如下的例示。 首先,将一以切克劳斯基(CZ)法拉上的单晶硅锭、或以铸造法制成的多结晶硅锭,通过线切割法切片而得P型硅基板。其次,以碱性溶液除去表面的切片损伤之后,在表面上形成最大高度约10μm的微细凹凸(纹路),再以热扩散法形成n型扩散层。再者,在受光面上,堆积例如约70nm厚的二氧化钛或氮化硅,形成反射防止膜。其次,在受光面的背面整面,印刷、烧结以铝为主要成分的材料,形成背面电极。另一方面,将以银为主成分的材料印刷、烧结成例如宽度约100~200μm的梳状,形成受光面电极。 此一手法的优点在于,虽然在构成装置方面,仅有最少程度的工艺数,但仍有提高特性的各种效果。例如,热扩散通过除气作用改善容积内少数载子的扩散长度。又,印刷在背面的铝的烧结是于形成电极同时,在背面上形成p+高浓度层成为电场层(BSFB ...
【技术保护点】
一种太阳能电池的制造方法,是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法,其特征为至少包含下列步骤:在该第一导电型半导体基板上,涂布含有掺杂剂的第一涂布剂,然后同时形成一第一扩散层以及一第二扩散层;该第一扩散层 是利用气相扩散热处理而形成于该第一涂布剂的涂布区域;该第二扩散层是利用气相扩散以连接第一扩散层的方式而形成,其导电率低于该第一扩散层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-4-26 127898/20051.一种太阳能电池的制造方法,是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法,其特征为至少包含下列步骤在该第一导电型半导体基板上,涂布含有掺杂剂的第一涂布剂,然后同时形成一第一扩散层以及一第二扩散层;该第一扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第一涂布剂的涂布区域;该第二扩散层是利用气相扩散以连接第一扩散层的方式而形成,其导电率低于该第一扩散层。2.一种太阳能电池制造方法,是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法,其特征为至少包含下列步骤在该第一导电型半导体基板上,涂布含有掺杂剂的第二涂布剂,然后同时形成一第二扩散层以及一第一扩散层;该第二扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第二涂布剂的涂布区域;该第一扩散层是利用气相扩散以连接第二扩散层的方式而形成,其导电率高于该第二扩散层。3.如权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法,其特征为该第一涂布剂或第二涂布剂含有硅化物。4.如权利要求3所述的太阳能电池的制造方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:大塚宽之,石川直挥,高桥正俊,
申请(专利权)人:信越半导体股份有限公司,信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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